^

тел. +380(91)-4810730

График работы
9:00 - 16:00 Склад обновлён 26 квітня 2024
КОРЗИНА ПУСТА
Поиск искать в найденном Расширенный поиск
КАТАЛОГ ТОВАРІВ
ARDUINO
АКУСТИКА
БАТАРЕИ, АККУМУЛЯТОРЫ
БЛОКИ ПИТАНИЯ
ВЕНТИЛЯТОРЫ
ВСЕ ДЛЯ РЕМОНТА
ДАТЧИКИ
ДИНАМІКИ
ДИОДЫ
ИЗМЕРИТЕЛИ
ИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
ИНСТРУМЕНТ И МАТЕРИАЛЫ
КНОПКИ, ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
КОНДЕНСАТОРЫ
КОНСТРУКТОРЫ KIT
КОРПУСА
МАГНИТОПРОВОД
МАКЕТНЫЕ ПЛАТЫ
МЕТАЛЛОИСКАТЕЛИ
МЕХАНИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
МИКРОСХЕМЫ
МОДУЛИ
ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
ОПТРОНЫ
ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ
ПАЯЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И МАТЕРИАЛЫ
ПЕРЕХОДНИКИ
ПЛАНКИ ПОДСВЕТКИ TV
ПРЕДОХРАНИТЕЛИ
ПРОВОДА И КАБЕЛИ
ПРОГРАММАТОРЫ
ПУЛЬТЫ ДУ
РАЗЪЁМЫ
РЕЛЕ
СВЕТОДИОДЫ
СОПУТСТВУЮЩИЕ ТОВАРЫ
ТЕРМОУСАДОЧНАЯ ТРУБКА
ТИРИСТОРЫ, СИМИСТОРЫ
ТРАНЗИСТОРЫ
ТРАНСФОРМАТОРЫ
УСТРОЙСТВА
ФОНАРИ
ФОТОПРИЁМНИКИ
ХИМИЯ
РАСПРОДАЖА
ТРАНЗИСТОРЫ
Главная / / ТРАНЗИСТОРЫ
Описание категории
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы. 

Подробнее
 
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
 
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
 
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
 
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
 
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
 
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
 
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
 
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
 
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
 
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
 
 
<< пред  1  ...  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  ...   26  след >>  |  показать все
1Т806В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41032
от 1 шт. 46 30
грн.
от 49 шт. 42 45
грн.
от 98 шт. 38 60
грн.
Описание
КТ805А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41050
от 1 шт. 46 30
грн.
от 49 шт. 42 45
грн.
от 98 шт. 38 60
грн.
Описание
ГТ346В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41185
от 1 шт. 46 30
грн.
от 29 шт. 42 45
грн.
от 59 шт. 38 60
грн.
Описание
2Т203В никель
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41105
от 1 шт. 46 30
грн.
от 38 шт. 42 45
грн.
от 76 шт. 38 60
грн.
Описание
КТ313А никель
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41112
от 1 шт. 46 30
грн.
от 38 шт. 42 45
грн.
от 76 шт. 38 60
грн.
Описание
ГТ703Г
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41011
от 1 шт. 47 00
грн.
от 50 шт. 43 10
грн.
от 100 шт. 39 20
грн.
Описание
ГТ703Д
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41012
от 1 шт. 47 00
грн.
от 50 шт. 43 10
грн.
от 100 шт. 39 20
грн.
Описание
КТ326А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41159
от 1 шт. 47 00
грн.
от 29 шт. 43 10
грн.
от 58 шт. 39 20
грн.
Описание
КТ326Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41160
от 1 шт. 47 00
грн.
от 29 шт. 43 10
грн.
от 58 шт. 39 20
грн.
Описание
КТ819Г
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08125

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 12, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

от 1 шт. 49 10
грн.
от 10 шт. 45 05
грн.
от 20 шт. 41 00
грн.
Описание
КТ840А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08143

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 400в, Pк т max = 60вт, h21 = 10…60, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C

от 1 шт. 49 80
грн.
от 50 шт. 45 65
грн.
от 100 шт. 41 50
грн.
Описание
КТ606А никель
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08156

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,4a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, Pк ср max max = 2,5вт, Fгр > 350мГц, Kур > 2,5дб, T = -40+85 C

от 1 шт. 51 20
грн.
от 25 шт. 46 95
грн.
от 50 шт. 42 70
грн.
Описание
КП103К
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41133
от 1 шт. 51 90
грн.
от 34 шт. 47 60
грн.
от 68 шт. 43 30
грн.
Описание
КП302АМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41134
от 1 шт. 51 90
грн.
от 34 шт. 47 60
грн.
от 68 шт. 43 30
грн.
Описание
КП302ВМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41136
от 1 шт. 51 90
грн.
от 34 шт. 47 60
грн.
от 68 шт. 43 30
грн.
Описание
КП302ГМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41137
от 1 шт. 51 90
грн.
от 34 шт. 47 60
грн.
от 68 шт. 43 30
грн.
Описание
КП305Д
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41141
от 1 шт. 51 90
грн.
от 34 шт. 47 60
грн.
от 68 шт. 43 30
грн.
Описание
КП305Ж
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41142
от 1 шт. 51 90
грн.
от 34 шт. 47 60
грн.
от 68 шт. 43 30
грн.
Описание
КТ855Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08167

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 5а, Uкэ max = 150в, Pк т max = 40вт, h21 > 20, Uкэ нас < 1в, Fгр > 15мГц, T = -40+100 C

от 1 шт. 51 90
грн.
от 25 шт. 47 60
грн.
от 50 шт. 43 30
грн.
Описание
2Т326Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41150
от 1 шт. 51 90
грн.
от 26 шт. 47 60
грн.
от 52 шт. 43 30
грн.
Описание
КТ859А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08206

Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Iк max = 3a, Uкэ max = 800в, Uкэ нас < 1,5в, Pк. т. max = 40вт, h21 > 10, Fгр > 10мГц, T = -55+100 C

от 1 шт. 51 90
грн.
от 58 шт. 47 60
грн.
от 116 шт. 43 30
грн.
Описание
КП103Л
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41042
от 1 шт. 51 90
грн.
от 43 шт. 47 60
грн.
от 87 шт. 43 30
грн.
Описание
КП103М
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41043
от 1 шт. 51 90
грн.
от 43 шт. 47 60
грн.
от 87 шт. 43 30
грн.
Описание
КП305Е
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41045
от 1 шт. 51 90
грн.
от 43 шт. 47 60
грн.
от 87 шт. 43 30
грн.
Описание
КП305И
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41046
от 1 шт. 51 90
грн.
от 43 шт. 47 60
грн.
от 87 шт. 43 30
грн.
Описание
<< пред  1  ...  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  ...   26  след >>  |  показать все
Copyright © 2011-2024 3V3.COM.UA | тел. +380(91)-4810730 | Google index