|
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы.
Подробнее
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором ( IGBT).
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08188 |
|
|
| от 1 шт. |
31 |
60
грн. |
|
| от 64 шт. |
28 |
95
грн. |
|
| от 127 шт. |
26 |
30
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08191 |
|
|
| от 1 шт. |
31 |
60
грн. |
|
| от 64 шт. |
28 |
95
грн. |
|
| от 127 шт. |
26 |
30
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08192 |
|
|
| от 1 шт. |
31 |
60
грн. |
|
| от 64 шт. |
28 |
95
грн. |
|
| от 127 шт. |
26 |
30
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08128 |
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C
|
|
| от 1 шт. |
33 |
70
грн. |
|
| от 10 шт. |
30 |
90
грн. |
|
| от 20 шт. |
28 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41176 |
|
|
| от 1 шт. |
33 |
70
грн. |
|
| от 80 шт. |
30 |
90
грн. |
|
| от 161 шт. |
28 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
39200 |
Транзистор биполярный аудио и общего назначения TO-3P NPN, 140V, 10A, 100W, 20MHz, комплементарная пара 2SA1965
|
|
| от 1 шт. |
33 |
80
грн. |
|
| от 15 шт. |
28 |
15
грн. |
|
| от 30 шт. |
22 |
50
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
40093 |
Транзистор полевой MOSFET N-канал 30V 20A
|
|
| от 1 шт. |
34 |
40
грн. |
|
| от 10 шт. |
30 |
95
грн. |
|
| от 20 шт. |
27 |
50
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08218 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C
|
|
| от 1 шт. |
35 |
10
грн. |
|
| от 25 шт. |
32 |
20
грн. |
|
| от 50 шт. |
29 |
30
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
39260 |
|
|
| от 1 шт. |
36 |
10
грн. |
|
| от 25 шт. |
32 |
50
грн. |
|
| от 50 шт. |
28 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08227 |
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 = 10…40, Fгр = 20мГц, T = -60+125 C
|
|
| от 1 шт. |
36 |
50
грн. |
|
| от 10 шт. |
33 |
45
грн. |
|
| от 20 шт. |
30 |
40
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08187 |
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C
|
|
| от 1 шт. |
36 |
50
грн. |
|
| от 62 шт. |
33 |
45
грн. |
|
| от 124 шт. |
30 |
40
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08127 |
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C
|
|
| от 1 шт. |
37 |
90
грн. |
|
| от 10 шт. |
34 |
75
грн. |
|
| от 20 шт. |
31 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08165 |
Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 8а, Uкб max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 7мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
38 |
60
грн. |
|
| от 25 шт. |
35 |
40
грн. |
|
| от 50 шт. |
32 |
20
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41031 |
|
|
| от 1 шт. |
38 |
60
грн. |
|
| от 58 шт. |
35 |
40
грн. |
|
| от 117 шт. |
32 |
20
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08205 |
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 350в, Pк т max = 60вт, h21 > 10, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C
|
|
| от 1 шт. |
39 |
30
грн. |
|
| от 62 шт. |
36 |
05
грн. |
|
| от 123 шт. |
32 |
80
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08183 |
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C
|
|
| от 1 шт. |
41 |
40
грн. |
|
| от 61 шт. |
37 |
95
грн. |
|
| от 122 шт. |
34 |
50
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41164 |
|
|
| от 1 шт. |
42 |
10
грн. |
|
| от 32 шт. |
38 |
60
грн. |
|
| от 65 шт. |
35 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08173 |
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 10a, Uкэ max = 30в, Uкэ нас < 0,5в, Pк. т. max = 50вт, h21 > 70, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C
|
|
| от 1 шт. |
42 |
10
грн. |
|
| от 25 шт. |
38 |
60
грн. |
|
| от 50 шт. |
35 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08151 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Iк max = 20ma, Uкэ max = 10в, P max = 100мвт, h21 = 20…240, Kш = 4дб, Fгр > 3ГГц, T = -60+125 C
|
|
| от 1 шт. |
42 |
10
грн. |
|
| от 50 шт. |
38 |
60
грн. |
|
| от 100 шт. |
35 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08152 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц. Iк max = 10ma, Uкэ max = 15в, P max = 50мвт, h21 > 10, Kш = 3,5дб, Fгр > 2,4ГГц, T = -60+125 C
|
|
| от 1 шт. |
42 |
10
грн. |
|
| от 50 шт. |
38 |
60
грн. |
|
| от 100 шт. |
35 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08126 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 60вт, h21 > 12, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C
|
|
| от 1 шт. |
43 |
50
грн. |
|
| от 10 шт. |
39 |
90
грн. |
|
| от 20 шт. |
36 |
30
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08166 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 10а, Uкэ max = 500в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 10мГц, T = -40+100 C
|
|
| от 1 шт. |
44 |
20
грн. |
|
| от 25 шт. |
40 |
55
грн. |
|
| от 50 шт. |
36 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41190 |
|
|
| от 1 шт. |
44 |
20
грн. |
|
| от 61 шт. |
40 |
55
грн. |
|
| от 123 шт. |
36 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
40310 |
|
|
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08261 |
|
|
| от 1 шт. |
46 |
30
грн. |
|
| от 50 шт. |
42 |
45
грн. |
|
| от 100 шт. |
38 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
