^

тел. +380(91)-4810730

График работы
9:00 - 16:00 Склад обновлён 23 грудня 2024
КОРЗИНА ПУСТА
Поиск искать в найденном Расширенный поиск
КАТАЛОГ ТОВАРІВ
ARDUINO
АКУСТИКА
БАТАРЕИ, АККУМУЛЯТОРЫ
БЛОКИ ПИТАНИЯ
ВЕНТИЛЯТОРЫ
ВСЕ ДЛЯ РЕМОНТА
ДАТЧИКИ
ДИНАМІКИ
ДИОДЫ
ИЗМЕРИТЕЛИ
ИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
ИНСТРУМЕНТ И МАТЕРИАЛЫ
КНОПКИ, ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
КОНДЕНСАТОРЫ
КОНСТРУКТОРЫ KIT
КОРПУСА
МАГНИТОПРОВОД
МАКЕТНЫЕ ПЛАТЫ
МЕТАЛЛОИСКАТЕЛИ
МЕХАНИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
МИКРОСХЕМЫ
МОДУЛИ
ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
ОПТРОНЫ
ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ
ПАЯЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И МАТЕРИАЛЫ
ПЕРЕХОДНИКИ
ПЛАНКИ ПОДСВЕТКИ TV
ПРЕДОХРАНИТЕЛИ
ПРОВОДА И КАБЕЛИ
ПРОГРАММАТОРЫ
ПУЛЬТЫ ДУ
РАЗЪЁМЫ
РЕЛЕ
СВЕТОДИОДЫ
СОПУТСТВУЮЩИЕ ТОВАРЫ
ТЕРМОУСАДОЧНАЯ ТРУБКА
ТИРИСТОРЫ, СИМИСТОРЫ
ТРАНЗИСТОРЫ
ТРАНСФОРМАТОРЫ
УСТРОЙСТВА
ФОНАРИ
ФОТОПРИЁМНИКИ
ХИМИЯ
РАСПРОДАЖА
ТРАНЗИСТОРЫ
Главная / / ТРАНЗИСТОРЫ
Описание категории
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы. 

Подробнее
 
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
 
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
 
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
 
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
 
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
 
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
 
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
 
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
 
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
 
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
 
 
<< пред  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  ...   27  след >>  |  показать все
КТ611БМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08234

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 100mа, Uкэ max = 180в, Uэб 0 max = 4в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 60мГц, T = -40+100 C

от 1 шт. 15 40
грн.
от 50 шт. 14 15
грн.
от 100 шт. 12 90
грн.
Описание
КТ940А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08237

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 0,1а, Uкэ max = 300в, Pк т max = 1,2вт, h21 > 25, Uкэ нас < 1в, Fгр > 90мГц, T = -40+85 C

от 1 шт. 15 40
грн.
от 50 шт. 14 15
грн.
от 100 шт. 12 90
грн.
Описание
МП26
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41057
от 1 шт. 15 40
грн.
от 175 шт. 14 15
грн.
от 350 шт. 12 90
грн.
Описание
КТ940Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08238

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 0,1а, Uкэ max = 250в, Pк т max = 1,2вт, h21 > 25, Uкэ нас < 1в, Fгр > 90мГц, T = -40+85 C

от 1 шт. 15 40
грн.
от 50 шт. 14 15
грн.
от 100 шт. 12 90
грн.
Описание
КТ961А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08239

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 1вт, h21 = 40…100, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 50мГц, T = -45+85 C

от 1 шт. 15 40
грн.
от 50 шт. 14 15
грн.
от 100 шт. 12 90
грн.
Описание
КП327А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Минимальный заказ: 3шт.
Код товара: 08240
от 1 шт. 15 40
грн.
от 50 шт. 14 15
грн.
от 100 шт. 12 90
грн.
Описание
КП103Е1
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41068
от 1 шт. 15 40
грн.
от 175 шт. 14 15
грн.
от 350 шт. 12 90
грн.
Описание
КП103Л1
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41069
от 1 шт. 15 40
грн.
от 175 шт. 14 15
грн.
от 350 шт. 12 90
грн.
Описание
КТ601АМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08241

Транзисторы кремниевые диффузионные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 30mа, Uкэ max = 100в, Uэб 0 max = 2в, Pк т max = 0,25вт, h21 > 16, Fгр > 40мГц, T = -10+85 C

от 1 шт. 15 40
грн.
от 50 шт. 14 15
грн.
от 100 шт. 12 90
грн.
Описание
МП26А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08110
от 1 шт. 15 40
грн.
от 50 шт. 14 15
грн.
от 100 шт. 12 90
грн.
Описание
КП501А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41047
от 1 шт. 16 10
грн.
от 139 шт. 14 80
грн.
от 279 шт. 13 50
грн.
Описание
TT2140 Транзистор биполярный SAN
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 39204

TO220F (NPN; 800V; 6A; 30W; 0.3uS)

от 1 шт. 16 20
грн.
от 13 шт. 15 31
грн.
от 25 шт. 14 42
грн.
СПЕЦ-ЦЕНАот 50 шт. 10 80
грн.
Описание
FQD6N60 TO-252 транзистор полевой N-канал 6A, 600V,  2.0 Ом
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 40101

TO252 (N; 6A; 600V; 2.0 Ohm)

от 1 шт. 16 20
грн.
от 10 шт. 13 50
грн.
от 20 шт. 10 80
грн.
Описание
КТ816В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41005
от 1 шт. 16 80
грн.
от 50 шт. 15 40
грн.
от 100 шт. 14 00
грн.
Описание
КТ817Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41008
от 1 шт. 16 80
грн.
от 50 шт. 15 40
грн.
от 100 шт. 14 00
грн.
Описание
КТ817В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41009
от 1 шт. 16 80
грн.
от 50 шт. 15 40
грн.
от 100 шт. 14 00
грн.
Описание
FQPF11N60C TO220F транзистор полевой N-канал ПЛАСТИК
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 40070

TO220F (N; 600V; 11A; 50W; 0.65 Ohm)

от 1 шт. 16 90
грн.
от 25 шт. 14 10
грн.
от 50 шт. 11 30
грн.
Описание
IRF7404 транзистор полевой IR P-канал
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 40092

Транзистор полевой MOSFET P-канал 20V 6.7A

от 1 шт. 17 80
грн.
от 10 шт. 15 50
грн.
от 20 шт. 13 20
грн.
Описание
МП38
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08113
от 1 шт. 18 30
грн.
от 12 шт. 16 75
грн.
от 25 шт. 15 20
грн.
Описание
КТ816В1
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41006
от 1 шт. 18 30
грн.
от 50 шт. 16 75
грн.
от 100 шт. 15 20
грн.
Описание
КТ646Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08203

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85

от 1 шт. 18 30
грн.
от 68 шт. 16 75
грн.
от 135 шт. 15 20
грн.
Описание
КТ683А (аналог КТ630)
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08235

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Iк max = 1а, Uкэ max = 150в, Pк т max = 1,2вт, h21 = 40…120, Uкэ нас < 0,45в, Fгр > 50мГц, T = -60+125 C

от 1 шт. 18 30
грн.
от 50 шт. 16 75
грн.
от 100 шт. 15 20
грн.
Описание
П308М
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08246
от 1 шт. 18 30
грн.
от 50 шт. 16 75
грн.
от 100 шт. 15 20
грн.
Описание
П309М
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08247
от 1 шт. 18 30
грн.
от 50 шт. 16 75
грн.
от 100 шт. 15 20
грн.
Описание
IRF7220 транзистор полевой
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 40021

SO8 (P; 14V; 11A; 2.5W; 0.012 Ohm)

от 1 шт. 18 50
грн.
от 25 шт. 16 35
грн.
от 50 шт. 14 20
грн.
Описание
<< пред  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  ...   27  след >>  |  показать все
Copyright © 2011-2024 3V3.COM.UA | тел. +380(91)-4810730 | Google index