|
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы.
Подробнее
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором ( IGBT).
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41141 |
|
|
от 1 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 34 шт. |
70 |
80 грн. |
|
от 68 шт. |
64 |
40 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41142 |
|
|
от 1 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 34 шт. |
70 |
80 грн. |
|
от 68 шт. |
64 |
40 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41197 |
|
|
от 1 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 10 шт. |
70 |
80 грн. |
|
от 21 шт. |
64 |
40 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08169 |
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные. Iс max = 4а, Uси max = 70в, P max = 20вт, Рвых >6,7вт, S = 60…170ma/в, Iс нач < 200ma, Kур >7дб, T = -60+125 C
|
|
от 1 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 25 шт. |
70 |
80 грн. |
|
от 50 шт. |
64 |
40 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08260 |
|
|
от 1 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 50 шт. |
70 |
80 грн. |
|
от 100 шт. |
64 |
40 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41204 |
|
|
от 1 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 13 шт. |
70 |
80 грн. |
|
от 26 шт. |
64 |
40 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08176 |
|
|
от 1 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 52 шт. |
70 |
80 грн. |
|
от 104 шт. |
64 |
40 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41045 |
|
|
от 1 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 43 шт. |
70 |
80 грн. |
|
от 87 шт. |
64 |
40 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41046 |
|
|
от 1 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 43 шт. |
70 |
80 грн. |
|
от 87 шт. |
64 |
40 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08185 |
|
|
от 1 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 52 шт. |
70 |
80 грн. |
|
от 104 шт. |
64 |
40 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41113 |
|
|
от 1 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 27 шт. |
70 |
80 грн. |
|
от 54 шт. |
64 |
40 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41195 |
|
|
от 1 шт. |
77 |
90 грн. |
|
от 10 шт. |
71 |
40 грн. |
|
от 21 шт. |
64 |
90 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41172 |
|
|
от 1 шт. |
77 |
90 грн. |
|
от 19 шт. |
71 |
40 грн. |
|
от 39 шт. |
64 |
90 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08216 |
Транзисторы кремниевые планарные полевые со статической индукцией и каналом n-типа. P max = 40вт, Uси max = 300в, Iс max = 10а, Rси отк < 0,1Ом, tвкл < 0,1мкс, tвыкл < 2,5мкс, T = -45+85 C
|
|
от 1 шт. |
78 |
60 грн. |
|
от 52 шт. |
72 |
05 грн. |
|
от 103 шт. |
65 |
50 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41188 |
|
|
от 1 шт. |
80 |
70 грн. |
|
от 21 шт. |
74 |
00 грн. |
|
от 42 шт. |
67 |
30 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41163 |
|
|
от 1 шт. |
80 |
70 грн. |
|
от 15 шт. |
74 |
00 грн. |
|
от 30 шт. |
67 |
30 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41101 |
|
|
от 1 шт. |
80 |
70 грн. |
|
от 24 шт. |
74 |
00 грн. |
|
от 48 шт. |
67 |
30 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08162 |
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 = 15…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C
|
|
от 1 шт. |
82 |
10 грн. |
|
от 25 шт. |
75 |
25 грн. |
|
от 50 шт. |
68 |
40 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08163 |
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C
|
|
от 1 шт. |
82 |
10 грн. |
|
от 25 шт. |
75 |
25 грн. |
|
от 50 шт. |
68 |
40 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41118 |
|
|
от 1 шт. |
84 |
20 грн. |
|
от 22 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 45 шт. |
70 |
20 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41140 |
|
|
от 1 шт. |
84 |
20 грн. |
|
от 27 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 54 шт. |
70 |
20 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08153 |
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 30а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 50вт, h21 = 10…60, Uкэ нас < 0,8в, T = -60+70 C
|
|
от 1 шт. |
84 |
20 грн. |
|
от 25 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 50 шт. |
70 |
20 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41157 |
|
|
от 1 шт. |
84 |
20 грн. |
|
от 16 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 33 шт. |
70 |
20 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41158 |
|
|
от 1 шт. |
84 |
20 грн. |
|
от 16 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 33 шт. |
70 |
20 грн. |
|
|
|
 |
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08194 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 5вт, h21 = 30…120, Uкэ нас < 1,5в, Fгр =75мГц, T = -60+125 C
|
|
от 1 шт. |
84 |
20 грн. |
|
от 50 шт. |
77 |
20 грн. |
|
от 100 шт. |
70 |
20 грн. |
|
|
|
|