|
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы.
Подробнее
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором ( IGBT).
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41155 |
|
|
от 1 шт. |
91 |
30 грн. |
|
от 15 шт. |
83 |
70 грн. |
|
от 30 шт. |
76 |
10 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08279 |
|
|
от 1 шт. |
91 |
30 грн. |
|
от 50 шт. |
83 |
70 грн. |
|
от 100 шт. |
76 |
10 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08209 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Iк max = 60ma, Uкэ max = 15в, P max = 225мвт, h21 = 160…400, Fгр = 1ГГц, T = -60+125 C
|
|
от 1 шт. |
92 |
70 грн. |
|
от 49 шт. |
84 |
95 грн. |
|
от 97 шт. |
77 |
20 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08210 |
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Iк max = 30ma, Uкэ max = 15в, P max = 225мвт, h21 = 80…300, Fгр = 1,5ГГц, T = -60+125 C
|
|
от 1 шт. |
98 |
30 грн. |
|
от 47 шт. |
90 |
10 грн. |
|
от 94 шт. |
81 |
90 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41098 |
|
|
от 1 шт. |
98 |
30 грн. |
|
от 7 шт. |
90 |
10 грн. |
|
от 15 шт. |
81 |
90 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08131 |
Транзистор германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, а также в преобразователях напряжения. Iк max = 12а, Uкэ max = 100в, Pк max = 50вт, h21 > 10, Fгр > 10кГц, T = -50+70 C
|
|
от 1 шт. |
100 |
40 грн. |
|
от 50 шт. |
92 |
05 грн. |
|
от 100 шт. |
83 |
70 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41122 |
|
|
от 1 шт. |
103 |
90 грн. |
|
от 17 шт. |
95 |
25 грн. |
|
от 34 шт. |
86 |
60 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08119 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Iк max = 3,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 27в, P max = 12,5вт, h21 = 10…80, Fгр > 90мГц, Kур = 8дб, T = -60+125 C
|
|
от 1 шт. |
103 |
90 грн. |
|
от 50 шт. |
95 |
25 грн. |
|
от 100 шт. |
86 |
60 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08104 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C
|
|
от 1 шт. |
103 |
90 грн. |
|
от 46 шт. |
95 |
25 грн. |
|
от 92 шт. |
86 |
60 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08263 |
|
|
от 1 шт. |
103 |
90 грн. |
|
от 50 шт. |
95 |
25 грн. |
|
от 100 шт. |
86 |
60 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08264 |
|
|
от 1 шт. |
103 |
90 грн. |
|
от 50 шт. |
95 |
25 грн. |
|
от 100 шт. |
86 |
60 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41044 |
|
|
от 1 шт. |
103 |
90 грн. |
|
от 25 шт. |
95 |
25 грн. |
|
от 51 шт. |
86 |
60 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08190 |
|
|
от 1 шт. |
106 |
70 грн. |
|
от 46 шт. |
97 |
80 грн. |
|
от 91 шт. |
88 |
90 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41191 |
|
|
от 1 шт. |
112 |
30 грн. |
|
от 10 шт. |
102 |
95 грн. |
|
от 20 шт. |
93 |
60 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41056 |
|
|
от 1 шт. |
115 |
80 грн. |
|
от 23 шт. |
106 |
15 грн. |
|
от 47 шт. |
96 |
50 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41123 |
|
|
от 1 шт. |
116 |
50 грн. |
|
от 15 шт. |
106 |
80 грн. |
|
от 30 шт. |
97 |
10 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08146 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц. Iк max = 20ma, Uкэ max = 15в, P max = 100мвт, h21 = 35…300, Kш = 3дб, Fгр > 4ГГц, T = -60+125 C
|
|
от 1 шт. |
125 |
00 грн. |
|
от 50 шт. |
114 |
55 грн. |
|
от 100 шт. |
104 |
10 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08147 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума. Iк max = 8,5ma, Uкэ max = 10в, P max = 70мвт, h21 = 15…110, Kш = 5дб, Fгр > 5,8ГГц, T = -60+125 C
|
|
от 1 шт. |
125 |
00 грн. |
|
от 50 шт. |
114 |
55 грн. |
|
от 100 шт. |
104 |
10 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41074 |
|
|
от 1 шт. |
126 |
40 грн. |
|
от 21 шт. |
115 |
85 грн. |
|
от 43 шт. |
105 |
30 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08105 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C
|
|
от 1 шт. |
129 |
90 грн. |
|
от 41 шт. |
119 |
05 грн. |
|
от 82 шт. |
108 |
20 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41161 |
|
|
от 1 шт. |
129 |
90 грн. |
|
от 12 шт. |
119 |
05 грн. |
|
от 24 шт. |
108 |
20 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41206 |
|
|
от 1 шт. |
129 |
90 грн. |
|
от 6 шт. |
119 |
05 грн. |
|
от 13 шт. |
108 |
20 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41208 |
|
|
от 1 шт. |
129 |
90 грн. |
|
от 6 шт. |
119 |
05 грн. |
|
от 13 шт. |
108 |
20 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
08217 |
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 17,4 ГГц. Uси max = 2,5в, Uзи отс = 4в, S > 8ma/в, P max = 30мвт, Kш < 4,5дб, Kур > 3дб, Fгр =17,4ГГц, T = -60+85 C
|
|
от 1 шт. |
129 |
90 грн. |
|
от 41 шт. |
119 |
05 грн. |
|
от 82 шт. |
108 |
20 грн. |
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
Код товара: |
41168 |
|
|
от 1 шт. |
129 |
90 грн. |
|
от 10 шт. |
119 |
05 грн. |
|
от 21 шт. |
108 |
20 грн. |
|
|
|
|