^

тел. +380(91)-4810730

График работы
9:00 - 16:00 Склад обновлён 28 грудня 2024
КОРЗИНА ПУСТА
Поиск искать в найденном Расширенный поиск
КАТАЛОГ ТОВАРІВ
ARDUINO
АКУСТИКА
БАТАРЕИ, АККУМУЛЯТОРЫ
БЛОКИ ПИТАНИЯ
ВЕНТИЛЯТОРЫ
ВСЕ ДЛЯ РЕМОНТА
ДАТЧИКИ
ДИНАМІКИ
ДИОДЫ
ИЗМЕРИТЕЛИ
ИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
ИНСТРУМЕНТ И МАТЕРИАЛЫ
КНОПКИ, ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
КОНДЕНСАТОРЫ
КОНСТРУКТОРЫ KIT
КОРПУСА
МАГНИТОПРОВОД
МАКЕТНЫЕ ПЛАТЫ
МЕТАЛЛОИСКАТЕЛИ
МЕХАНИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
МИКРОСХЕМЫ
МОДУЛИ
ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
ОПТРОНЫ
ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ
ПАЯЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И МАТЕРИАЛЫ
ПЕРЕХОДНИКИ
ПЛАНКИ ПОДСВЕТКИ TV
ПРЕДОХРАНИТЕЛИ
ПРОВОДА И КАБЕЛИ
ПРОГРАММАТОРЫ
ПУЛЬТЫ ДУ
РАЗЪЁМЫ
РЕЛЕ
СВЕТОДИОДЫ
СОПУТСТВУЮЩИЕ ТОВАРЫ
ТЕРМОУСАДОЧНАЯ ТРУБКА
ТИРИСТОРЫ, СИМИСТОРЫ
ТРАНЗИСТОРЫ
ТРАНСФОРМАТОРЫ
УСТРОЙСТВА
ФОНАРИ
ФОТОПРИЁМНИКИ
ХИМИЯ
РАСПРОДАЖА
ТРАНЗИСТОРЫ
Главная / / ТРАНЗИСТОРЫ
Описание категории
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы. 

Подробнее
 
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
 
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
 
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
 
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
 
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
 
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
 
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
 
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
 
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
 
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
 
 
<< пред  1  ...  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  ...   27  след >>  |  показать все
2Т709Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41155
от 1 шт. 91 30
грн.
от 15 шт. 83 70
грн.
от 30 шт. 76 10
грн.
Описание
КТ842А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08279
от 1 шт. 91 30
грн.
от 50 шт. 83 70
грн.
от 100 шт. 76 10
грн.
Описание
2Т325В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08209

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Iк max = 60ma, Uкэ max = 15в, P max = 225мвт, h21 = 160…400, Fгр = 1ГГц, T = -60+125 C

от 1 шт. 92 70
грн.
от 49 шт. 84 95
грн.
от 97 шт. 77 20
грн.
Описание
2Т355А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08210

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Iк max = 30ma, Uкэ max = 15в, P max = 225мвт, h21 = 80…300, Fгр = 1,5ГГц, T = -60+125 C

от 1 шт. 98 30
грн.
от 47 шт. 90 10
грн.
от 94 шт. 81 90
грн.
Описание
КТ819ГМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41098
от 1 шт. 98 30
грн.
от 7 шт. 90 10
грн.
от 15 шт. 81 90
грн.
Описание
ГТ701А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08131

Транзистор германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, а также в преобразователях напряжения. Iк max = 12а, Uкэ max = 100в, Pк max = 50вт, h21 > 10, Fгр > 10кГц, T = -50+70 C

от 1 шт. 100 40
грн.
от 50 шт. 92 05
грн.
от 100 шт. 83 70
грн.
Описание
КТ630Б никель
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41122
от 1 шт. 103 90
грн.
от 17 шт. 95 25
грн.
от 34 шт. 86 60
грн.
Описание
2Т921А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08119

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Iк max = 3,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 27в, P max = 12,5вт, h21 = 10…80, Fгр > 90мГц, Kур = 8дб, T = -60+125 C

от 1 шт. 103 90
грн.
от 50 шт. 95 25
грн.
от 100 шт. 86 60
грн.
Описание
КТ827Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08104

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C

от 1 шт. 103 90
грн.
от 46 шт. 95 25
грн.
от 92 шт. 86 60
грн.
Описание
2Т812А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08263
от 1 шт. 103 90
грн.
от 50 шт. 95 25
грн.
от 100 шт. 86 60
грн.
Описание
2Т828А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08264
от 1 шт. 103 90
грн.
от 50 шт. 95 25
грн.
от 100 шт. 86 60
грн.
Описание
КП103МР (цена за пару)
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41044
от 1 шт. 103 90
грн.
от 25 шт. 95 25
грн.
от 51 шт. 86 60
грн.
Описание
2Т831В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08190
от 1 шт. 106 70
грн.
от 46 шт. 97 80
грн.
от 91 шт. 88 90
грн.
Описание
2Т819А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41191
от 1 шт. 112 30
грн.
от 10 шт. 102 95
грн.
от 20 шт. 93 60
грн.
Описание
2Т809А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41056
от 1 шт. 115 80
грн.
от 23 шт. 106 15
грн.
от 47 шт. 96 50
грн.
Описание
КТ630Е
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41123
от 1 шт. 116 50
грн.
от 15 шт. 106 80
грн.
от 30 шт. 97 10
грн.
Описание
2Т3101А-2
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08146

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц. Iк max = 20ma, Uкэ max = 15в, P max = 100мвт, h21 = 35…300, Kш = 3дб, Fгр > 4ГГц, T = -60+125 C

от 1 шт. 125 00
грн.
от 50 шт. 114 55
грн.
от 100 шт. 104 10
грн.
Описание
2Т3115А-2
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08147

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума. Iк max = 8,5ma, Uкэ max = 10в, P max = 70мвт, h21 = 15…110, Kш = 5дб, Fгр > 5,8ГГц, T = -60+125 C

от 1 шт. 125 00
грн.
от 50 шт. 114 55
грн.
от 100 шт. 104 10
грн.
Описание
3П602Г-2
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41074
от 1 шт. 126 40
грн.
от 21 шт. 115 85
грн.
от 43 шт. 105 30
грн.
Описание
КТ827В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08105

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C

от 1 шт. 129 90
грн.
от 41 шт. 119 05
грн.
от 82 шт. 108 20
грн.
Описание
КТ603Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41161
от 1 шт. 129 90
грн.
от 12 шт. 119 05
грн.
от 24 шт. 108 20
грн.
Описание
кт603а
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41206
от 1 шт. 129 90
грн.
от 6 шт. 119 05
грн.
от 13 шт. 108 20
грн.
Описание
кт825е
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41208
от 1 шт. 129 90
грн.
от 6 шт. 119 05
грн.
от 13 шт. 108 20
грн.
Описание
3П326А-2
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08217

Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 17,4 ГГц. Uси max = 2,5в, Uзи отс = 4в, S > 8ma/в, P max = 30мвт, Kш < 4,5дб, Kур > 3дб, Fгр =17,4ГГц, T = -60+85 C

от 1 шт. 129 90
грн.
от 41 шт. 119 05
грн.
от 82 шт. 108 20
грн.
Описание
КТ632Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41168
от 1 шт. 129 90
грн.
от 10 шт. 119 05
грн.
от 21 шт. 108 20
грн.
Описание
<< пред  1  ...  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  ...   27  след >>  |  показать все
Copyright © 2011-2024 3V3.COM.UA | тел. +380(91)-4810730 | Google index