|
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы.
Подробнее
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором ( IGBT).
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
40023 |
SO8 (N+N; 30V;4.9A; 2W; 0.05 Ohm)
|
|
| от 1 шт. |
21 |
60
грн. |
|
| от 25 шт. |
19 |
45
грн. |
|
| от 50 шт. |
17 |
30
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
40090 |
Сдвоенный MOSFET транзистор N+N
|
|
| от 1 шт. |
22 |
00
грн. |
|
| от 10 шт. |
20 |
20
грн. |
|
| от 20 шт. |
18 |
40
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08117 |
|
|
| от 1 шт. |
22 |
50
грн. |
|
| от 50 шт. |
20 |
60
грн. |
|
| от 100 шт. |
18 |
70
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41217 |
|
|
| от 1 шт. |
22 |
50
грн. |
|
| от 36 шт. |
20 |
60
грн. |
|
| от 73 шт. |
18 |
70
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41058 |
|
|
| от 1 шт. |
22 |
50
грн. |
|
| от 50 шт. |
20 |
60
грн. |
|
| от 100 шт. |
18 |
70
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41059 |
|
|
| от 1 шт. |
22 |
50
грн. |
|
| от 50 шт. |
20 |
60
грн. |
|
| от 100 шт. |
18 |
70
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41060 |
|
|
| от 1 шт. |
22 |
50
грн. |
|
| от 50 шт. |
20 |
60
грн. |
|
| от 100 шт. |
18 |
70
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08115 |
|
|
| от 1 шт. |
22 |
50
грн. |
|
| от 50 шт. |
20 |
60
грн. |
|
| от 100 шт. |
18 |
70
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08116 |
|
|
| от 1 шт. |
22 |
50
грн. |
|
| от 50 шт. |
20 |
60
грн. |
|
| от 100 шт. |
18 |
70
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08112 |
|
|
| от 1 шт. |
22 |
60
грн. |
|
| от 50 шт. |
20 |
70
грн. |
|
| от 100 шт. |
18 |
80
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08248 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
23 |
20
грн. |
|
| от 50 шт. |
21 |
25
грн. |
|
| от 100 шт. |
19 |
30
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08130 |
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 45в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C
|
|
| от 1 шт. |
24 |
60
грн. |
|
| от 10 шт. |
22 |
55
грн. |
|
| от 20 шт. |
20 |
50
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08140 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
24 |
60
грн. |
|
| от 50 шт. |
22 |
55
грн. |
|
| от 100 шт. |
20 |
50
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08139 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
24 |
60
грн. |
|
| от 50 шт. |
22 |
55
грн. |
|
| от 100 шт. |
20 |
50
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08136 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
24 |
60
грн. |
|
| от 50 шт. |
22 |
55
грн. |
|
| от 100 шт. |
20 |
50
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08134 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
24 |
60
грн. |
|
| от 50 шт. |
22 |
55
грн. |
|
| от 100 шт. |
20 |
50
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08133 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
24 |
60
грн. |
|
| от 50 шт. |
22 |
55
грн. |
|
| от 100 шт. |
20 |
50
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08132 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
24 |
60
грн. |
|
| от 50 шт. |
22 |
55
грн. |
|
| от 100 шт. |
20 |
50
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08144 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Iк max = 2а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C
|
|
| от 1 шт. |
24 |
70
грн. |
|
| от 50 шт. |
22 |
65
грн. |
|
| от 100 шт. |
20 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
40037 |
TO220 (N; 60V; 15A; 40W; 0.1 Ohm)
|
|
| от 1 шт. |
25 |
20
грн. |
|
| от 25 шт. |
21 |
60
грн. |
|
| от 50 шт. |
18 |
00
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08199 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 40в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C
|
|
| от 1 шт. |
26 |
00
грн. |
|
| от 65 шт. |
23 |
80
грн. |
|
| от 130 шт. |
21 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08243 |
Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 2,5а, Uкэ проб = 80в, Pк т max = 50вт, h21 > 500, Fгр > 7мГц
|
|
| от 1 шт. |
26 |
00
грн. |
|
| от 50 шт. |
23 |
80
грн. |
|
| от 100 шт. |
21 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
TO-3P (NPN; 700V; 12A; 125W; 4MHz; 0.7мкс)
|
|
| от 1 шт. |
27 |
00
грн. |
|
| от 15 шт. |
22 |
50
грн. |
|
| от 30 шт. |
18 |
00
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41024 |
|
|
| от 1 шт. |
28 |
10
грн. |
|
| от 50 шт. |
25 |
75
грн. |
|
| от 100 шт. |
23 |
40
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08244 |
Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 2,5а, Uкэ проб = 60в, Pк т max = 50вт, h21 > 1000, Fгр > 7мГц
|
|
| от 1 шт. |
28 |
10
грн. |
|
| от 50 шт. |
25 |
75
грн. |
|
| от 100 шт. |
23 |
40
грн. |
|
|
|
|
|
KSE13009L документация скачать PDF
