|
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы.
Подробнее
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором ( IGBT).
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41073 |
|
|
| от 1 шт. |
140 |
40
грн. |
|
| от 19 шт. |
128 |
70
грн. |
|
| от 39 шт. |
117 |
00
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41126 |
|
|
| от 1 шт. |
147 |
40
грн. |
|
| от 12 шт. |
135 |
15
грн. |
|
| от 24 шт. |
122 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41127 |
|
|
| от 1 шт. |
147 |
40
грн. |
|
| от 12 шт. |
135 |
15
грн. |
|
| от 24 шт. |
122 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08250 |
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Iк max = 1а, Uкэ max = 120в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 80…240, Uкэ нас < 0,3в, Fгр > 50мГц, T = -60+125 C
|
|
| от 1 шт. |
147 |
40
грн. |
|
| от 38 шт. |
135 |
15
грн. |
|
| от 75 шт. |
122 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08149 |
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц. Uси max = 2в, Uзи отс = 4в, S > 5ma/в, P max = 25мвт, Kш < 2дб, Kур > 4,5дб, Fгр =8ГГц, T = -60+70 C
|
|
| от 1 шт. |
150 |
20
грн. |
|
| от 20 шт. |
137 |
70
грн. |
|
| от 40 шт. |
125 |
20
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41099 |
|
|
| от 1 шт. |
154 |
40
грн. |
|
| от 5 шт. |
141 |
55
грн. |
|
| от 10 шт. |
128 |
70
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41072 |
|
|
| от 1 шт. |
154 |
40
грн. |
|
| от 17 шт. |
141 |
55
грн. |
|
| от 35 шт. |
128 |
70
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41092 |
|
|
| от 1 шт. |
155 |
80
грн. |
|
| от 37 шт. |
142 |
85
грн. |
|
| от 73 шт. |
129 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08104 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
155 |
80
грн. |
|
| от 37 шт. |
142 |
85
грн. |
|
| от 73 шт. |
129 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08102 |
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 20а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C
|
|
| от 1 шт. |
155 |
80
грн. |
|
| от 37 шт. |
142 |
85
грн. |
|
| от 73 шт. |
129 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41192 |
|
|
| от 1 шт. |
155 |
80
грн. |
|
| от 10 шт. |
142 |
85
грн. |
|
| от 20 шт. |
129 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08214 |
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Iк max = 2,5а, Uкэ max = 500в, Pк max = 15вт, h21 = 10…100, Uкэ нас = 5в, Fгр = 3мГц, T = -40+85 C
|
|
| от 1 шт. |
158 |
70
грн. |
|
| от 36 шт. |
145 |
45
грн. |
|
| от 72 шт. |
132 |
20
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41169 |
|
|
| от 1 шт. |
166 |
40
грн. |
|
| от 8 шт. |
152 |
50
грн. |
|
| от 17 шт. |
138 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41124 |
|
|
| от 1 шт. |
168 |
50
грн. |
|
| от 10 шт. |
154 |
45
грн. |
|
| от 21 шт. |
140 |
40
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08174 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 150в, Pк т max = 50вт, h21 = 10...60, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 51мГц, T = -40+100 C
|
|
| от 1 шт. |
175 |
50
грн. |
|
| от 25 шт. |
160 |
90
грн. |
|
| от 50 шт. |
146 |
30
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41070 |
|
|
| от 1 шт. |
175 |
50
грн. |
|
| от 15 шт. |
160 |
90
грн. |
|
| от 31 шт. |
146 |
30
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41071 |
|
|
| от 1 шт. |
175 |
50
грн. |
|
| от 15 шт. |
160 |
90
грн. |
|
| от 31 шт. |
146 |
30
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41075 |
|
|
| от 1 шт. |
175 |
50
грн. |
|
| от 15 шт. |
160 |
90
грн. |
|
| от 31 шт. |
146 |
30
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41076 |
|
|
| от 1 шт. |
175 |
50
грн. |
|
| от 15 шт. |
160 |
90
грн. |
|
| от 31 шт. |
146 |
30
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41131 |
|
|
| от 1 шт. |
182 |
50
грн. |
|
| от 9 шт. |
167 |
30
грн. |
|
| от 19 шт. |
152 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41093 |
|
|
| от 1 шт. |
182 |
50
грн. |
|
| от 32 шт. |
167 |
30
грн. |
|
| от 64 шт. |
152 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08103 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
182 |
50
грн. |
|
| от 32 шт. |
167 |
30
грн. |
|
| от 64 шт. |
152 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08101 |
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 20а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C
|
|
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08107 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные, усилительные. Iк max = 0,3a, Uкэ max = 26в, P max = 1,5вт, h21 = 50…250, Fгр > 1ГГц, T = -60+125 C
|
|
| от 1 шт. |
189 |
50
грн. |
|
| от 31 шт. |
173 |
75
грн. |
|
| от 62 шт. |
158 |
00
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41034 |
|
|
| от 1 шт. |
195 |
20
грн. |
|
| от 12 шт. |
178 |
90
грн. |
|
| от 24 шт. |
162 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
