|
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы.
Подробнее
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором ( IGBT).
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41125 |
|
|
| от 1 шт. |
19 |
00
грн. |
|
| от 92 шт. |
17 |
40
грн. |
|
| от 185 шт. |
15 |
80
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41007 |
|
|
| от 1 шт. |
19 |
00
грн. |
|
| от 50 шт. |
17 |
40
грн. |
|
| от 100 шт. |
15 |
80
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41010 |
|
|
| от 1 шт. |
19 |
00
грн. |
|
| от 50 шт. |
17 |
40
грн. |
|
| от 100 шт. |
15 |
80
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08118 |
|
|
| от 1 шт. |
19 |
00
грн. |
|
| от 50 шт. |
17 |
40
грн. |
|
| от 100 шт. |
15 |
80
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08114 |
|
|
| от 1 шт. |
19 |
00
грн. |
|
| от 50 шт. |
17 |
40
грн. |
|
| от 100 шт. |
15 |
80
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
39230 |
PNP 400V 150mA SOT23
|
|
| от 1 шт. |
19 |
00
грн. |
|
| от 68 шт. |
16 |
80
грн. |
|
| от 135 шт. |
14 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
|
|
| от 1 шт. |
19 |
20
грн. |
|
| от 67 шт. |
16 |
00
грн. |
|
| от 134 шт. |
12 |
80
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41090 |
|
|
| от 1 шт. |
19 |
70
грн. |
|
| от 137 шт. |
18 |
05
грн. |
|
| от 275 шт. |
16 |
40
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08135 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
19 |
70
грн. |
|
| от 50 шт. |
18 |
05
грн. |
|
| от 100 шт. |
16 |
40
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08142 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
19 |
70
грн. |
|
| от 50 шт. |
18 |
05
грн. |
|
| от 100 шт. |
16 |
40
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08138 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
19 |
70
грн. |
|
| от 50 шт. |
18 |
05
грн. |
|
| от 100 шт. |
16 |
40
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08137 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
19 |
70
грн. |
|
| от 50 шт. |
18 |
05
грн. |
|
| от 100 шт. |
16 |
40
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08141 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
19 |
70
грн. |
|
| от 50 шт. |
18 |
05
грн. |
|
| от 100 шт. |
16 |
40
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08159 |
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 80в, Pк max = 5вт, h21 = 13…50, Uкэ нас = 2в, Fгр = 10мГц, T = -60+85 C
|
|
| от 1 шт. |
20 |
40
грн. |
|
| от 25 шт. |
18 |
70
грн. |
|
| от 50 шт. |
17 |
00
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41178 |
|
|
| от 1 шт. |
20 |
40
грн. |
|
| от 25 шт. |
18 |
70
грн. |
|
| от 50 шт. |
17 |
00
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41179 |
|
|
| от 1 шт. |
20 |
40
грн. |
|
| от 25 шт. |
18 |
70
грн. |
|
| от 50 шт. |
17 |
00
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08197 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C
|
|
| от 1 шт. |
21 |
10
грн. |
|
| от 67 шт. |
19 |
35
грн. |
|
| от 133 шт. |
17 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08158 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 40…100, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C
|
|
| от 1 шт. |
21 |
10
грн. |
|
| от 25 шт. |
19 |
35
грн. |
|
| от 50 шт. |
17 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08198 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 40в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C
|
|
| от 1 шт. |
21 |
10
грн. |
|
| от 67 шт. |
19 |
35
грн. |
|
| от 133 шт. |
17 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08207 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 63…160, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C
|
|
| от 1 шт. |
21 |
10
грн. |
|
| от 67 шт. |
19 |
35
грн. |
|
| от 133 шт. |
17 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
40072 |
Транзистор полевой MOSFET N-канал 20A 600V TO-220F 0.45 Ом@VGS =10V
|
|
| от 1 шт. |
21 |
10
грн. |
|
| от 25 шт. |
17 |
60
грн. |
|
| от 50 шт. |
14 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08278 |
|
|
| от 1 шт. |
21 |
10
грн. |
|
| от 50 шт. |
19 |
35
грн. |
|
| от 100 шт. |
17 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41088 |
|
|
| от 1 шт. |
21 |
10
грн. |
|
| от 128 шт. |
19 |
35
грн. |
|
| от 257 шт. |
17 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41089 |
|
|
| от 1 шт. |
21 |
10
грн. |
|
| от 128 шт. |
19 |
35
грн. |
|
| от 257 шт. |
17 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08145 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Iк max = 4а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C
|
|
| от 1 шт. |
21 |
20
грн. |
|
| от 50 шт. |
19 |
40
грн. |
|
| от 100 шт. |
17 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
J113 скачать PDF
