Оптрон (оптопара) - это устройство, состоящее из источника света (обычно, светодиода) и фотоприемника (фототранзистора, фотодиода, иногда фоторезистора, симистора или триодного тиристора), заключенных в единый корпус. Оптрон работает по такому принципу: светодиод, установленный на входе, посылает световой сигнал на фотодетектор, установленный на выходе. Так как внутреннее соединение обеспечивается только за счет светового луча, вход и выход оптрона оказываются изолированными друг от друга.
В первую очередь оптрон используется для гальванической развязки цепей (передачи сигнала без передачи напряжения). Так как оптрон позволяет электрически изолировать один участок цепи от другого, он может защитить чувствительные к кратковременным выбросам напряжения логические микросхемы и микроконтроллеры. Например, выход логической микросхемы можно подключить через оптрон к индуктивной нагрузке - к обмотке реле, которая может создавать выбросы напряжения, опасные для микросхемы. Оптроны также часто используются в импульсных блоках питания и в медицинском оборудовании, когда требуется обезопасить пациента от поражения электрическим током.
Тиристорные оптроны состоят из арсенид-галлиевого ИК излучателя и фотоприемника - кремниевого фотодинистора, изолированных один от другого оптически прозрачной массой.
Оптопары транзисторные с открытым оптическим каналом в пластмассовом корпусе, состоящие из эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевого эпитаксиально планарного транзисторного фотоприемника. Uвх < 1,8в, Iвх = 10ma, Uвх обр = 0,4в, Uвых ком = 5в, Iвых = 20ma
Тиристорные оптроны состоят из арсенид-галлиевого ИК излучателя и фотоприемника - кремниевого фотодинистора, изолированных один от другого оптически прозрачной массой.
Оптопары транзисторные, двухканальные. Состоят из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов. Uвх < 1,6в, Iвх = 20ma, Uвх обр = 1,5в, Uвых ком = 15в, Iвых = 5ma, Uизол = 1500в
Оптопары транзисторные, двухканальные. Состоят из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов. Uвх < 1,6в, Iвх = 20ma, Uвх обр = 1,5в, Uвых ком = 15в, Iвых = 10ma, Uизол = 1500в