^

тел. +380(91)-4810730

График работы
9:00 - 16:00 Склад обновлён 26 квітня 2024
КОРЗИНА ПУСТА
Поиск искать в найденном Расширенный поиск
КАТАЛОГ ТОВАРІВ
ARDUINO
АКУСТИКА
БАТАРЕИ, АККУМУЛЯТОРЫ
БЛОКИ ПИТАНИЯ
ВЕНТИЛЯТОРЫ
ВСЕ ДЛЯ РЕМОНТА
ДАТЧИКИ
ДИНАМІКИ
ДИОДЫ
ИЗМЕРИТЕЛИ
ИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
ИНСТРУМЕНТ И МАТЕРИАЛЫ
КНОПКИ, ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
КОНДЕНСАТОРЫ
КОНСТРУКТОРЫ KIT
КОРПУСА
МАГНИТОПРОВОД
МАКЕТНЫЕ ПЛАТЫ
МЕТАЛЛОИСКАТЕЛИ
МЕХАНИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
МИКРОСХЕМЫ
МОДУЛИ
ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
ОПТРОНЫ
ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ
ПАЯЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И МАТЕРИАЛЫ
ПЕРЕХОДНИКИ
ПЛАНКИ ПОДСВЕТКИ TV
ПРЕДОХРАНИТЕЛИ
ПРОВОДА И КАБЕЛИ
ПРОГРАММАТОРЫ
ПУЛЬТЫ ДУ
РАЗЪЁМЫ
РЕЛЕ
СВЕТОДИОДЫ
СОПУТСТВУЮЩИЕ ТОВАРЫ
ТЕРМОУСАДОЧНАЯ ТРУБКА
ТИРИСТОРЫ, СИМИСТОРЫ
ТРАНЗИСТОРЫ
ТРАНСФОРМАТОРЫ
УСТРОЙСТВА
ФОНАРИ
ФОТОПРИЁМНИКИ
ХИМИЯ
РАСПРОДАЖА
ТРАНЗИСТОРЫ
Главная / / ТРАНЗИСТОРЫ
Описание категории
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы. 

Подробнее
 
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
 
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
 
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
 
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
 
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
 
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
 
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
 
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
 
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
 
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
 
 
<< пред  1  ...  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  ...   26  след >>  |  показать все
КТ818А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08199

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 40в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

от 1 шт. 26 00
грн.
от 65 шт. 23 80
грн.
от 130 шт. 21 60
грн.
Описание
КТ852Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08243

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 2,5а, Uкэ проб = 80в, Pк т max = 50вт, h21 > 500, Fгр > 7мГц

от 1 шт. 26 00
грн.
от 50 шт. 23 80
грн.
от 100 шт. 21 60
грн.
Описание
FQPF 12N60 TO220F транзистор полевой N-канал ПЛАСТИК
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 40057

TO220F (N; 600V; 12A; 53W; 0.65 Ohm)

от 1 шт. 27 00
грн.
от 25 шт. 22 50
грн.
от 50 шт. 18 00
грн.
Описание
КТ805АМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41024
от 1 шт. 28 10
грн.
от 50 шт. 25 75
грн.
от 100 шт. 23 40
грн.
Описание
КТ852В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08244

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 2,5а, Uкэ проб = 60в, Pк т max = 50вт, h21 > 1000, Fгр > 7мГц

от 1 шт. 28 10
грн.
от 50 шт. 25 75
грн.
от 100 шт. 23 40
грн.
Описание
КТ818Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08186

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

от 1 шт. 29 50
грн.
от 64 шт. 27 05
грн.
от 128 шт. 24 60
грн.
Описание
КТ829В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08129

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

от 1 шт. 30 20
грн.
от 10 шт. 27 70
грн.
от 20 шт. 25 20
грн.
Описание
2Т326Б никель
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41149
от 1 шт. 30 90
грн.
от 44 шт. 28 30
грн.
от 88 шт. 25 70
грн.
Описание
П213А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08221

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 30в, Pк max = 10вт, h21 > 20, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

от 1 шт. 30 90
грн.
от 10 шт. 28 30
грн.
от 20 шт. 25 70
грн.
Описание
П214
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08222

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 55в, Pк max = 10вт, h21 = 20…60, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

от 1 шт. 30 90
грн.
от 10 шт. 28 30
грн.
от 20 шт. 25 70
грн.
Описание
П214Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08223

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 55в, Pк max = 12вт, h21 = 20…150, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

от 1 шт. 30 90
грн.
от 10 шт. 28 30
грн.
от 20 шт. 25 70
грн.
Описание
П215
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08224

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 70в, Pк max = 10вт, h21 = 20…150, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

от 1 шт. 30 90
грн.
от 10 шт. 28 30
грн.
от 20 шт. 25 70
грн.
Описание
П217Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08225

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 30вт, h21 > 20, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C

от 1 шт. 30 90
грн.
от 10 шт. 28 30
грн.
от 20 шт. 25 70
грн.
Описание
П217Г
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08226

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 24вт, h21 = 15…40, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C

от 1 шт. 30 90
грн.
от 10 шт. 28 30
грн.
от 20 шт. 25 70
грн.
Описание
1Т906А металл
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41177
от 1 шт. 30 90
грн.
от 87 шт. 28 30
грн.
от 175 шт. 25 70
грн.
Описание
КТ852А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08236

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 2,5а, Uкэ проб = 100в, Pк т max = 50вт, h21 > 500, Fгр > 7мГц

от 1 шт. 30 90
грн.
от 50 шт. 28 30
грн.
от 100 шт. 25 70
грн.
Описание
КП103К1 подобранная пара (цена за пару)
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41066
от 1 шт. 30 90
грн.
от 87 шт. 28 30
грн.
от 175 шт. 25 70
грн.
Описание
ГТ404Ж
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08124
от 1 шт. 31 60
грн.
от 64 шт. 28 95
грн.
от 127 шт. 26 30
грн.
Описание
АЛС317В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 33055
от 1 шт. 31 60
грн.
от 13 шт. 28 95
грн.
от 27 шт. 26 30
грн.
Описание
АЛС317Г
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 33047
от 1 шт. 31 60
грн.
от 14 шт. 28 95
грн.
от 28 шт. 26 30
грн.
Описание
ГТ402А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08120
от 1 шт. 31 60
грн.
от 64 шт. 28 95
грн.
от 127 шт. 26 30
грн.
Описание
ГТ402Ж
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08123
от 1 шт. 31 60
грн.
от 64 шт. 28 95
грн.
от 127 шт. 26 30
грн.
Описание
КТС3103А1
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08215

Кремниевые СВЧ р-п-р транзисторные пары средней мощности с отношением статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером более 0,9 и модулем передачи тока на частоте 100МГц более 6

от 1 шт. 31 60
грн.
от 64 шт. 28 95
грн.
от 127 шт. 26 30
грн.
Описание
ГТ404Е
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08195
от 1 шт. 31 60
грн.
от 64 шт. 28 95
грн.
от 127 шт. 26 30
грн.
Описание
ГТ402Д
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08188
от 1 шт. 31 60
грн.
от 64 шт. 28 95
грн.
от 127 шт. 26 30
грн.
Описание
<< пред  1  ...  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  ...   26  след >>  |  показать все
Copyright © 2011-2024 3V3.COM.UA | тел. +380(91)-4810730 | Google index