^

тел. +380(91)-4810730

График работы
9:00 - 16:00 Склад обновлён 06 травня 2024
КОРЗИНА ПУСТА
Поиск искать в найденном Расширенный поиск
КАТАЛОГ ТОВАРІВ
ARDUINO
АКУСТИКА
БАТАРЕИ, АККУМУЛЯТОРЫ
БЛОКИ ПИТАНИЯ
ВЕНТИЛЯТОРЫ
ВСЕ ДЛЯ РЕМОНТА
ДАТЧИКИ
ДИНАМІКИ
ДИОДЫ
ИЗМЕРИТЕЛИ
ИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
ИНСТРУМЕНТ И МАТЕРИАЛЫ
КНОПКИ, ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
КОНДЕНСАТОРЫ
КОНСТРУКТОРЫ KIT
КОРПУСА
МАГНИТОПРОВОД
МАКЕТНЫЕ ПЛАТЫ
МЕТАЛЛОИСКАТЕЛИ
МЕХАНИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
МИКРОСХЕМЫ
МОДУЛИ
ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
ОПТРОНЫ
ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ
ПАЯЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И МАТЕРИАЛЫ
ПЕРЕХОДНИКИ
ПЛАНКИ ПОДСВЕТКИ TV
ПРЕДОХРАНИТЕЛИ
ПРОВОДА И КАБЕЛИ
ПРОГРАММАТОРЫ
ПУЛЬТЫ ДУ
РАЗЪЁМЫ
РЕЛЕ
СВЕТОДИОДЫ
СОПУТСТВУЮЩИЕ ТОВАРЫ
ТЕРМОУСАДОЧНАЯ ТРУБКА
ТИРИСТОРЫ, СИМИСТОРЫ
ТРАНЗИСТОРЫ
ТРАНСФОРМАТОРЫ
УСТРОЙСТВА
ФОНАРИ
ФОТОПРИЁМНИКИ
ХИМИЯ
РАСПРОДАЖА
ТРАНЗИСТОРЫ
Главная / / ТРАНЗИСТОРЫ
Описание категории
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы. 

Подробнее
 
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
 
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
 
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
 
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
 
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
 
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
 
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
 
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
 
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
 
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
 
 
<< пред  1  ...  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  ...   26  след >>  |  показать все
2Т201Г
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41101
от 1 шт. 73 70
грн.
от 24 шт. 67 55
грн.
от 48 шт. 61 40
грн.
Описание
2Т203Д
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41106
от 1 шт. 73 70
грн.
от 24 шт. 67 55
грн.
от 48 шт. 61 40
грн.
Описание
КТ316Д
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41118
от 1 шт. 77 20
грн.
от 22 шт. 70 80
грн.
от 45 шт. 64 40
грн.
Описание
КП901Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08169

Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные. Iс max = 4а, Uси max = 70в, P max = 20вт, Рвых >6,7вт, S = 60…170ma/в, Iс нач < 200ma, Kур >7дб, T = -60+125 C

от 1 шт. 77 20
грн.
от 25 шт. 70 80
грн.
от 50 шт. 64 40
грн.
Описание
2Т830Г
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08176
от 1 шт. 77 20
грн.
от 52 шт. 70 80
грн.
от 104 шт. 64 40
грн.
Описание
2Т201Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41100
от 1 шт. 77 20
грн.
от 22 шт. 70 80
грн.
от 45 шт. 64 40
грн.
Описание
2Т316А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41115
от 1 шт. 77 20
грн.
от 22 шт. 70 80
грн.
от 45 шт. 64 40
грн.
Описание
КП934Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08216

Транзисторы кремниевые планарные полевые со статической индукцией и каналом n-типа. P max = 40вт, Uси max = 300в, Iс max = 10а, Rси отк < 0,1Ом, tвкл < 0,1мкс, tвыкл < 2,5мкс, T = -45+85 C

от 1 шт. 78 60
грн.
от 52 шт. 72 05
грн.
от 103 шт. 65 50
грн.
Описание
КТ3117Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41163
от 1 шт. 80 70
грн.
от 15 шт. 74 00
грн.
от 30 шт. 67 30
грн.
Описание
КТ818ВМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08162

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 = 15…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

от 1 шт. 82 10
грн.
от 25 шт. 75 25
грн.
от 50 шт. 68 40
грн.
Описание
КТ819ВМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08163

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

от 1 шт. 82 10
грн.
от 25 шт. 75 25
грн.
от 50 шт. 68 40
грн.
Описание
1Т813А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08153

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 30а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 50вт, h21 = 10…60, Uкэ нас < 0,8в, T = -60+70 C

от 1 шт. 84 20
грн.
от 25 шт. 77 20
грн.
от 50 шт. 70 20
грн.
Описание
2Т3108Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41157
от 1 шт. 84 20
грн.
от 16 шт. 77 20
грн.
от 33 шт. 70 20
грн.
Описание
2Т3108В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41158
от 1 шт. 84 20
грн.
от 16 шт. 77 20
грн.
от 33 шт. 70 20
грн.
Описание
2Т933Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08194

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 5вт, h21 = 30…120, Uкэ нас < 1,5в, Fгр =75мГц, T = -60+125 C

от 1 шт. 84 20
грн.
от 50 шт. 77 20
грн.
от 100 шт. 70 20
грн.
Описание
КТ506Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08155

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 600в, Pк max = 0,8вт, h21 > 30, Uкэ нас = 0,6в, Fгр = 10мГц, T = -45+100 C

от 1 шт. 89 90
грн.
от 25 шт. 82 40
грн.
от 50 шт. 74 90
грн.
Описание
КП903В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08230

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 60…140ma/в, Iс нач < 600ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C

от 1 шт. 89 90
грн.
от 25 шт. 82 40
грн.
от 50 шт. 74 90
грн.
Описание
2П903А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08168

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 85…140ma/в, Iс нач < 700ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+125 C

от 1 шт. 89 90
грн.
от 25 шт. 82 40
грн.
от 50 шт. 74 90
грн.
Описание
КП903Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08229

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 50…130ma/в, Iс нач < 480ma, Rси отк < 21Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C

от 1 шт. 89 90
грн.
от 25 шт. 82 40
грн.
от 50 шт. 74 90
грн.
Описание
2Т368А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41119
от 1 шт. 91 30
грн.
от 10 шт. 83 70
грн.
от 20 шт. 76 10
грн.
Описание
КТ846В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08219

Транзисторы кремниевые меза-планарные структуры n-p-n импульсные, переключательные. Iк max = 5а, Uкэ max = 1500в, Pк т max = 12,5вт, Uкэ нас < 1в, Fгр > 2мГц, T = -25+100 C

от 1 шт. 91 30
грн.
от 25 шт. 83 70
грн.
от 50 шт. 76 10
грн.
Описание
КТ818ГМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08172

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 100вт, h21 = 12…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

от 1 шт. 91 30
грн.
от 25 шт. 83 70
грн.
от 50 шт. 76 10
грн.
Описание
2Т709Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41155
от 1 шт. 91 30
грн.
от 15 шт. 83 70
грн.
от 30 шт. 76 10
грн.
Описание
КТ842А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08279
от 1 шт. 91 30
грн.
от 50 шт. 83 70
грн.
от 100 шт. 76 10
грн.
Описание
2Т325В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08209

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Iк max = 60ma, Uкэ max = 15в, P max = 225мвт, h21 = 160…400, Fгр = 1ГГц, T = -60+125 C

от 1 шт. 92 70
грн.
от 49 шт. 84 95
грн.
от 97 шт. 77 20
грн.
Описание
<< пред  1  ...  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  ...   26  след >>  |  показать все
Copyright © 2011-2024 3V3.COM.UA | тел. +380(91)-4810730 | Google index