|
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы.
Подробнее
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором ( IGBT).
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41002 |
|
|
| от 1 шт. |
14 |
00
грн. |
|
| от 50 шт. |
12 |
85
грн. |
|
| от 100 шт. |
11 |
70
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41003 |
|
|
| от 1 шт. |
14 |
00
грн. |
|
| от 50 шт. |
12 |
85
грн. |
|
| от 100 шт. |
11 |
70
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41004 |
|
|
| от 1 шт. |
14 |
00
грн. |
|
| от 50 шт. |
12 |
85
грн. |
|
| от 100 шт. |
11 |
70
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
40015 |
TO220 (N; 55V; 110A; 200W; 0,008 Ohm)
|
|
| от 1 шт. |
14 |
40
грн. |
|
| от 25 шт. |
12 |
60
грн. |
|
| от 50 шт. |
10 |
80
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
39229 |
PNP 350V SOT23
|
|
| от 1 шт. |
14 |
50
грн. |
|
| от 69 шт. |
13 |
55
грн. |
|
| от 137 шт. |
12 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
39214 |
TO220F (NPN; 1500V; 5A; 25W; 0.3мкс)
|
|
| от 1 шт. |
15 |
00
грн. |
|
| от 13 шт. |
14 |
44
грн. |
|
| от 25 шт. |
13 |
88
грн. |
| СПЕЦ-ЦЕНАот 50 шт. |
11 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41143 |
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 113 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 227 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08157 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 80в, Pк max = 6,5вт, h21 = 15…45, Uкэ нас < 1в, Fгр > 45мГц, T = -40+85 C
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 25 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 50 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08160 |
Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 60в, Pк max = 5вт, h21 = 30…150, Uкэ нас = 2в, Fгр = 10мГц, T = -60+85 C
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 25 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 50 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41203 |
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 52 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 105 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41028 |
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 50 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 100 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41029 |
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 50 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 100 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41030 |
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 69 шт. |
14 |
63
грн. |
|
| от 137 шт. |
13 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08268 |
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 50 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 100 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08202 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 50в, Pк max = 1вт, h21 = 40…200, Uкэ нас < 0,85в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 C
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 69 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 137 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08109 |
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 50 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 100 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08111 |
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 50 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 100 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41036 |
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 111 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 222 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41037 |
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 111 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 222 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41038 |
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 111 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 222 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41039 |
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 111 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 222 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41040 |
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 111 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 222 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41041 |
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 111 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 222 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08228 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 800 МГц. Iк max = 50ma, Uкэ max = 25в, Pк max = 170мвт, h21 > 15, Kш = 6дб, Fгр > 800мГц, T = -45+85 C
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 69 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 137 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08233 |
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 100mа, Uкэ max = 180в, Uэб 0 max = 4в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 10…40, Fгр > 60мГц, T = -40+100 C
|
|
| от 1 шт. |
15 |
40
грн. |
|
| от 50 шт. |
14 |
15
грн. |
|
| от 100 шт. |
12 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
