^

тел. +380(91)-4810730

График работы
9:00 - 16:00 Склад обновлён 19 березня 2024
КОРЗИНА ПУСТА
Поиск искать в найденном Расширенный поиск
КАТАЛОГ ТОВАРІВ
ARDUINO
АКУСТИКА
БАТАРЕИ, АККУМУЛЯТОРЫ
БЛОКИ ПИТАНИЯ
ВЕНТИЛЯТОРЫ
ВСЕ ДЛЯ РЕМОНТА
ДАТЧИКИ
ДИНАМІКИ
ДИОДЫ
ИЗМЕРИТЕЛИ
ИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
ИНСТРУМЕНТ И МАТЕРИАЛЫ
КНОПКИ, ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
КОНДЕНСАТОРЫ
КОНСТРУКТОРЫ KIT
КОРПУСА
МАГНИТОПРОВОД
МАКЕТНЫЕ ПЛАТЫ
МЕТАЛЛОИСКАТЕЛИ
МЕХАНИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
МИКРОСХЕМЫ
МОДУЛИ
ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
ОПТРОНЫ
ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ
ПАЯЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И МАТЕРИАЛЫ
ПЕРЕХОДНИКИ
ПЛАНКИ ПОДСВЕТКИ TV
ПРЕДОХРАНИТЕЛИ
ПРОВОДА И КАБЕЛИ
ПРОГРАММАТОРЫ
ПУЛЬТЫ ДУ
РАЗЪЁМЫ
РЕЛЕ
СВЕТОДИОДЫ
СОПУТСТВУЮЩИЕ ТОВАРЫ
ТЕРМОУСАДОЧНАЯ ТРУБКА
ТИРИСТОРЫ, СИМИСТОРЫ
ТРАНЗИСТОРЫ
ТРАНСФОРМАТОРЫ
УСТРОЙСТВА
ФОНАРИ
ФОТОПРИЁМНИКИ
ХИМИЯ
РАСПРОДАЖА
ТРАНЗИСТОРЫ
Главная / / ТРАНЗИСТОРЫ
Описание категории
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы. 

Подробнее
 
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
 
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
 
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
 
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
 
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
 
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
 
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
 
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
 
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
 
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
 
 
<< пред  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  ...   26  след >>  |  показать все
КП103К1
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Минимальный заказ: 3шт.
Код товара: 08179
от 1 шт. 13 30
грн.
от 69 шт. 12 20
грн.
от 138 шт. 11 10
грн.
Описание
КТ604БМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08231

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 200mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 40мГц, T = -60+100 C

от 1 шт. 13 30
грн.
от 50 шт. 12 20
грн.
от 100 шт. 11 10
грн.
Описание
КТ605БМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08232

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 100mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,4вт, h21 = 30…120, Fгр > 40мГц, T = -40+125 C

от 1 шт. 13 30
грн.
от 50 шт. 12 20
грн.
от 100 шт. 11 10
грн.
Описание
КТ626Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41065
от 1 шт. 13 30
грн.
от 202 шт. 12 20
грн.
от 405 шт. 11 10
грн.
Описание
КТ604АМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08242

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 200mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 10…40, Fгр > 40мГц, T = -60+100 C

от 1 шт. 13 30
грн.
от 50 шт. 12 20
грн.
от 100 шт. 11 10
грн.
Описание
КТ961Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08245

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 1вт, h21 = 63…160, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 50мГц, T = -45+85 C

от 1 шт. 13 30
грн.
от 50 шт. 12 20
грн.
от 100 шт. 11 10
грн.
Описание
КТ313БМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08277
от 1 шт. 13 30
грн.
от 50 шт. 12 20
грн.
от 100 шт. 11 10
грн.
Описание
кт316б пластик
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41079
от 1 шт. 13 30
грн.
от 202 шт. 12 20
грн.
от 405 шт. 11 10
грн.
Описание
AO4407 (SI4407) транзистор полевой  SO-8 30V P-Channel MOSFET
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 40075
Документация:

AO4407 скачать PDF

SO8 (P; -30V; -12A; 3.1W; 14 mOhm)

от 1 шт. 13 50
грн.
от 25 шт. 11 25
грн.
от 50 шт. 9 00
грн.
Описание
КТ814А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41001
от 1 шт. 14 00
грн.
от 50 шт. 12 85
грн.
от 100 шт. 11 70
грн.
Описание
КТ814В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41002
от 1 шт. 14 00
грн.
от 50 шт. 12 85
грн.
от 100 шт. 11 70
грн.
Описание
КТ814Г
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41003
от 1 шт. 14 00
грн.
от 50 шт. 12 85
грн.
от 100 шт. 11 70
грн.
Описание
КТ815В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41004
от 1 шт. 14 00
грн.
от 50 шт. 12 85
грн.
от 100 шт. 11 70
грн.
Описание
MMBT6520L T10SCT-ND Транзистор биполярный PNP 350V SOT23
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 39229

PNP 350V SOT23

от 1 шт. 14 50
грн.
от 69 шт. 13 55
грн.
от 137 шт. 12 60
грн.
Описание
TT2170 Транзистор биполярный SAN
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 39214

TO220F (NPN; 1500V; 5A; 25W; 0.3мкс)

от 1 шт. 15 00
грн.
от 13 шт. 14 44
грн.
от 25 шт. 13 88
грн.
СПЕЦ-ЦЕНАот 50 шт. 11 60
грн.
Описание
МП25Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41143
от 1 шт. 15 40
грн.
от 113 шт. 14 15
грн.
от 227 шт. 12 90
грн.
Описание
КТ626В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08157

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 80в, Pк max = 6,5вт, h21 = 15…45, Uкэ нас < 1в, Fгр > 45мГц, T = -40+85 C

от 1 шт. 15 40
грн.
от 25 шт. 14 15
грн.
от 50 шт. 12 90
грн.
Описание
КТ801Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08160

Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 60в, Pк max = 5вт, h21 = 30…150, Uкэ нас = 2в, Fгр = 10мГц, T = -60+85 C

от 1 шт. 15 40
грн.
от 25 шт. 14 15
грн.
от 50 шт. 12 90
грн.
Описание
КТ325В пластик
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41028
от 1 шт. 15 40
грн.
от 50 шт. 14 15
грн.
от 100 шт. 12 90
грн.
Описание
КТ326БМ
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41029
от 1 шт. 15 40
грн.
от 50 шт. 14 15
грн.
от 100 шт. 12 90
грн.
Описание
КТ349Б пластик
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41030
от 1 шт. 15 40
грн.
от 69 шт. 14 63
грн.
от 137 шт. 13 90
грн.
Описание
1Т308Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08268
от 1 шт. 15 40
грн.
от 50 шт. 14 15
грн.
от 100 шт. 12 90
грн.
Описание
КТ646А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08202

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 50в, Pк max = 1вт, h21 = 40…200, Uкэ нас < 0,85в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 C

от 1 шт. 15 40
грн.
от 69 шт. 14 15
грн.
от 137 шт. 12 90
грн.
Описание
МП25А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08109
от 1 шт. 15 40
грн.
от 50 шт. 14 15
грн.
от 100 шт. 12 90
грн.
Описание
МП26Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08111
от 1 шт. 15 40
грн.
от 50 шт. 14 15
грн.
от 100 шт. 12 90
грн.
Описание
<< пред  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  ...   26  след >>  |  показать все
Copyright © 2011-2023 3V3.COM.UA | тел. +38 068 4199109 | Google index