|
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы.
Подробнее
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором ( IGBT).
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
40024 |
SO8 (N+P; 2.5W; N: 30V; 7.3A; 0.029 Ohm; P: 30V; 5.3A; 0.058 Ohm)
|
|
| от 1 шт. |
11 |
90
грн. |
|
| от 10 шт. |
10 |
90
грн. |
|
| от 20 шт. |
9 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
39225 |
|
|
| от 1 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 25 шт. |
10 |
15
грн. |
|
| от 50 шт. |
8 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
TO220 (N; 100V; 9.2A; 60W; 0,027 Ohm)
|
|
| от 1 шт. |
12 |
40
грн. |
|
| от 25 шт. |
11 |
40
грн. |
|
| от 50 шт. |
10 |
40
грн. |
|
|
|
|
|
 |
TO220 (N; 500V; 2.5A; 50W; 3 Ohm)
|
|
| от 1 шт. |
12 |
50
грн. |
|
| от 13 шт. |
12 |
02
грн. |
|
| от 25 шт. |
11 |
54
грн. |
| СПЕЦ-ЦЕНАот 50 шт. |
9 |
60
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08154 |
|
|
| от 1 шт. |
12 |
60
грн. |
|
| от 25 шт. |
11 |
55
грн. |
|
| от 50 шт. |
10 |
50
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Минимальный заказ: |
3шт. |
| Код товара: |
08204 |
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 0,8а, Uкэ max = 45в, Pк max = 0,5вт, h21 = 110…220, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 200мГц, T = -40+85 C
|
|
| от 1 шт. |
12 |
60
грн. |
|
| от 69 шт. |
11 |
55
грн. |
|
| от 138 шт. |
10 |
50
грн. |
|
|
|
|
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
40022 |
TO-220 (N; 400V; 5,5A; 74W; 1Ohm)
|
|
| от 1 шт. |
12 |
90
грн. |
|
| от 25 шт. |
11 |
40
грн. |
|
| от 50 шт. |
9 |
90
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08211 |
|
|
| от 1 шт. |
13 |
30
грн. |
|
| от 69 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 138 шт. |
11 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08212 |
|
|
| от 1 шт. |
13 |
30
грн. |
|
| от 69 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 138 шт. |
11 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Минимальный заказ: |
3шт. |
| Код товара: |
08249 |
|
|
| от 1 шт. |
13 |
30
грн. |
|
| от 50 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 100 шт. |
11 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41048 |
|
|
| от 1 шт. |
13 |
30
грн. |
|
| от 169 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 338 шт. |
11 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41054 |
|
|
| от 1 шт. |
13 |
30
грн. |
|
| от 169 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 338 шт. |
11 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41055 |
|
|
| от 1 шт. |
13 |
30
грн. |
|
| от 25 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 50 шт. |
11 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Минимальный заказ: |
3шт. |
| Код товара: |
08179 |
|
|
| от 1 шт. |
13 |
30
грн. |
|
| от 69 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 138 шт. |
11 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08231 |
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 200mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 40мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
13 |
30
грн. |
|
| от 50 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 100 шт. |
11 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08232 |
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 100mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,4вт, h21 = 30…120, Fгр > 40мГц, T = -40+125 C
|
|
| от 1 шт. |
13 |
30
грн. |
|
| от 50 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 100 шт. |
11 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41065 |
|
|
| от 1 шт. |
13 |
30
грн. |
|
| от 202 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 405 шт. |
11 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08242 |
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 200mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 10…40, Fгр > 40мГц, T = -60+100 C
|
|
| от 1 шт. |
13 |
30
грн. |
|
| от 50 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 100 шт. |
11 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08245 |
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 1вт, h21 = 63…160, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 50мГц, T = -45+85 C
|
|
| от 1 шт. |
13 |
30
грн. |
|
| от 50 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 100 шт. |
11 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
08277 |
|
|
| от 1 шт. |
13 |
30
грн. |
|
| от 50 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 100 шт. |
11 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41079 |
|
|
| от 1 шт. |
13 |
30
грн. |
|
| от 202 шт. |
12 |
20
грн. |
|
| от 405 шт. |
11 |
10
грн. |
|
|
|
|
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
40029 |
TO220 (N; 500V; 8A; 125W; 0,85 Ohm)
|
|
| от 1 шт. |
13 |
50
грн. |
|
| от 25 шт. |
12 |
40
грн. |
|
| от 50 шт. |
11 |
30
грн. |
|
|
|
|
|
 |
SO8 (P; -30V; -12A; 3.1W; 14 mOhm)
|
|
| от 1 шт. |
13 |
50
грн. |
|
| от 25 шт. |
11 |
25
грн. |
|
| от 50 шт. |
9 |
00
грн. |
|
|
|
|
|
|
|
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
40041 |
TO220 (N; 55V; 49A; 94W; 0.0175 Ohm)
|
|
| от 1 шт. |
13 |
80
грн. |
|
| от 25 шт. |
12 |
55
грн. |
|
| от 50 шт. |
11 |
30
грн. |
|
|
|
|
|
 |
|
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
|
| Код товара: |
41001 |
|
|
| от 1 шт. |
14 |
00
грн. |
|
| от 50 шт. |
12 |
85
грн. |
|
| от 100 шт. |
11 |
70
грн. |
|
|
|
|
|
IRF520 скачать PDF
