^

тел. +380(91)-4810730

График работы
9:00 - 16:00 Склад обновлён 06 травня 2024
КОРЗИНА ПУСТА
Поиск искать в найденном Расширенный поиск
КАТАЛОГ ТОВАРІВ
ARDUINO
АКУСТИКА
БАТАРЕИ, АККУМУЛЯТОРЫ
БЛОКИ ПИТАНИЯ
ВЕНТИЛЯТОРЫ
ВСЕ ДЛЯ РЕМОНТА
ДАТЧИКИ
ДИНАМІКИ
ДИОДЫ
ИЗМЕРИТЕЛИ
ИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
ИНСТРУМЕНТ И МАТЕРИАЛЫ
КНОПКИ, ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
КОНДЕНСАТОРЫ
КОНСТРУКТОРЫ KIT
КОРПУСА
МАГНИТОПРОВОД
МАКЕТНЫЕ ПЛАТЫ
МЕТАЛЛОИСКАТЕЛИ
МЕХАНИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
МИКРОСХЕМЫ
МОДУЛИ
ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
ОПТРОНЫ
ПАССИВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ
ПАЯЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И МАТЕРИАЛЫ
ПЕРЕХОДНИКИ
ПЛАНКИ ПОДСВЕТКИ TV
ПРЕДОХРАНИТЕЛИ
ПРОВОДА И КАБЕЛИ
ПРОГРАММАТОРЫ
ПУЛЬТЫ ДУ
РАЗЪЁМЫ
РЕЛЕ
СВЕТОДИОДЫ
СОПУТСТВУЮЩИЕ ТОВАРЫ
ТЕРМОУСАДОЧНАЯ ТРУБКА
ТИРИСТОРЫ, СИМИСТОРЫ
ТРАНЗИСТОРЫ
ТРАНСФОРМАТОРЫ
УСТРОЙСТВА
ФОНАРИ
ФОТОПРИЁМНИКИ
ХИМИЯ
РАСПРОДАЖА
ТРАНЗИСТОРЫ
Главная / / ТРАНЗИСТОРЫ
Описание категории
В данной категории можно приобрести биполярные транзисторы и полевые транзисторы (JFET и MOSFET), IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), однопереходные и др. транзисторы. 

Подробнее
 
Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые имеют три или четыре вывода и используются для усиления или генерирования электрических сигналов, а также для коммутации электрических цепей.
 
Первые транзисторы изготавливали из германия, но наиболее распространенным материалом для них стал кремний, поскольку у кремниевых транзисторов отдельные параметры и температурная стабильность значительно лучше, чем у германиевых. Транзисторы заменили вакуумные приборы, которые раньше использовались для усиления аудиосигнала, а также позволили изменить и создать множество других устройств. Например, построенные на их основе компьютеры стали существенно меньшего размера и отличались более высоким быстродействием.
 
В целом транзисторы можно разделить на две группы: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. В основе их работы лежит электронно-дырочный переход, который также называют p-n переход.
 
Биполярный транзистор имеет три вывода (электрода), которые связаны с тремя областями (слоями): эмиттер, база и коллектор. Центральный тонкий слой транзистора — это база. Она находится между двумя более толстыми слоями — эмиттером и коллектором. Переход между базой и эмиттером называется эмиттерным, а между базой и коллектором — коллекторным. Таким образом, переходы транзистора образованы тремя областями, в которых чередуются такие типы проводимости как электронная (n) и дырочная (p). В зависимости от последовательности чередования этих областей выделяют транзисторы P-N-P и N-P-N типа.
 
В биполярном P-N-P транзисторе база с электронной проводимостью, т.е здесь основными носителями заряда являются электроны. В N-P-N транзисторе база с дырочной проводимостью, т.е основные носители заряда здесь дырки. Электрический ток в данных транзисторах протекает с участием зарядов обоих знаков, а именно, электронов и дырок, благодаря чему транзисторы и получили своё название — биполярные.
 
Существуют различные схемы включения биполярного транзистора, такие как: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором. Наиболее распространенный способ - с общим эмиттером. В схеме с общим коллектором (ОК) происходит усиление только по току, в схеме с общей базой (ОБ) только по напряжению, а в схеме с общим эмиттером (ОЭ) как по току, так и по напряжению.
 
Полевой транзистор зачастую имеет три вывода (электрода), которые называются: сток, исток и затвор. В полевых транзисторах используется движение носителей заряда лишь одного знака (либо электронов, либо дырок). Именно поэтому их ещё также называют униполярными. Движутся носители заряда от истока к стоку. Затвор транзистора является управляющим электродом.
 
Существует два основных типа полевых транзисторов: JFET (транзистор с управляющим p-n переходом) и MOSFET (транзистор с изолированным затвором).
 
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором.
 
Наиболее широкое применение биполярные транзисторы нашли в аналоговой технике, а полевые транзисторы - в цифровой. Также на данный момент широко применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT).
 
 
<< пред  1  ...  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  ...   26  след >>  |  показать все
2Т825Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08100

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 20а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+125 C

от 1 шт. 207 80
грн.
от 29 шт. 190 50
грн.
от 58 шт. 173 20
грн.
Описание
КТ913Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41035
от 1 шт. 207 80
грн.
от 11 шт. 190 50
грн.
от 22 шт. 173 20
грн.
Описание
КТ916А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41052
от 1 шт. 207 80
грн.
от 11 шт. 190 50
грн.
от 22 шт. 173 20
грн.
Описание
2Т881Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41156
от 1 шт. 210 60
грн.
от 6 шт. 193 05
грн.
от 13 шт. 175 50
грн.
Описание
КТ907Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41051
от 1 шт. 220 40
грн.
от 10 шт. 202 05
грн.
от 21 шт. 183 70
грн.
Описание
КТ904А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41128
от 1 шт. 245 70
грн.
от 7 шт. 225 25
грн.
от 14 шт. 204 80
грн.
Описание
КТ907А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41129
от 1 шт. 245 70
грн.
от 7 шт. 225 25
грн.
от 14 шт. 204 80
грн.
Описание
КТ914А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41130
от 1 шт. 245 70
грн.
от 7 шт. 225 25
грн.
от 14 шт. 204 80
грн.
Описание
КТ606Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41189
от 1 шт. 259 70
грн.
от 10 шт. 238 10
грн.
от 21 шт. 216 50
грн.
Описание
КТ922А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08200

Транзисторы СВЧ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,8a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, P max = 8вт, Fгр > 300мГц, Kур = 10дб, T = -45+85 C

от 1 шт. 280 80
грн.
от 21 шт. 257 40
грн.
от 41 шт. 234 00
грн.
Описание
КТ925А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08184

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,5a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 5,5вт, Fгр > 500мГц, Kур > 6,3дб, T = -45+85 C

от 1 шт. 280 80
грн.
от 21 шт. 257 40
грн.
от 41 шт. 234 00
грн.
Описание
КТ920А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08193

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,25a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 5вт, Fгр > 400мГц, Kур = 7дб, T = -45+85 C

от 1 шт. 280 80
грн.
от 21 шт. 257 40
грн.
от 41 шт. 234 00
грн.
Описание
КТ606А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41186
от 1 шт. 287 80
грн.
от 5 шт. 263 85
грн.
от 10 шт. 239 90
грн.
Описание
2Т606А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41187
от 1 шт. 308 90
грн.
от 4 шт. 283 15
грн.
от 9 шт. 257 40
грн.
Описание
КТ922Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08177

Транзисторы СВЧ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 1,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, P max = 20вт, Fгр > 300мГц, Kур = 5,5дб, T = -45+85 C

от 1 шт. 312 40
грн.
от 18 шт. 286 35
грн.
от 36 шт. 260 30
грн.
Описание
КТ920Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08175

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 1a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 10вт, Fгр > 400мГц, Kур = 4,5дб, T = -45+85 C

от 1 шт. 337 00
грн.
от 16 шт. 308 90
грн.
от 32 шт. 280 80
грн.
Описание
КТ920В
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08180

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 3a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 25вт, Fгр > 400мГц, Kур = 3дб, T = -45+85 C

от 1 шт. 337 00
грн.
от 16 шт. 308 90
грн.
от 32 шт. 280 80
грн.
Описание
КП904Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41062
от 1 шт. 337 00
грн.
от 8 шт. 308 90
грн.
от 17 шт. 280 80
грн.
Описание
КП601А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08106
от 1 шт. 389 60
грн.
от 50 шт. 357 15
грн.
от 100 шт. 324 70
грн.
Описание
КП904А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41061
от 1 шт. 389 60
грн.
от 7 шт. 357 15
грн.
от 14 шт. 324 70
грн.
Описание
КТ958А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08181

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 10a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 85вт, Fгр = 300мГц, Kур > 4дб, T = -40+85 C

от 1 шт. 519 50
грн.
от 7 шт. 476 20
грн.
от 14 шт. 432 90
грн.
Описание
2Т9113А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41170
от 1 шт. 912 60
грн.
от 3 шт. 760 50
грн.
Описание
КТ971А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 08178

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 17a, Uкэ max = 50в, Uпит = 28в, P max = 200вт, Fгр > 220мГц, Kур > 3дб, T = -40+85 C

от 1 шт. 1 158 30
грн.
от 2 шт. 1 061 80
грн.
от 3 шт. 965 30
грн.
Описание
2П920Б
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41148
от 1 шт. 1 263 60
грн.
от 2 шт. 1 158 30
грн.
от 5 шт. 1 053 00
грн.
Описание
2П920А
ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара: 41147
от 1 шт. 1 474 20
грн.
от 2 шт. 1 351 35
грн.
от 4 шт. 1 228 50
грн.
Описание
<< пред  1  ...  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  ...   26  след >>  |  показать все
Copyright © 2011-2024 3V3.COM.UA | тел. +380(91)-4810730 | Google index