TO-3P, 20A, 200V

Модуль USB с двумя нагрузочными резисторами, с переключателем - 1/2 А

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Iос = 10а, Uзс = 400в, Uп. обр = не регламентируется, Iуд = 200ma, Iу. от = 100ma, Uу. от = 5в

TO220-5pin (Ust = 1.25 - 57V; I=3A)

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

Модуль для установки одного из самых распространенных драйверов A4988 или DRV8825 для управления шаговым двигателем

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 8а, Uкб max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 7мГц, T = -60+100 C

Инфракрасный датчик движения используется для обнаружения в контролируемой зоне движения объектов, которые излучают инфракрасное излучение (люди, животные)

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 350в, Pк т max = 60вт, h21 > 10, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C

Безотмывочный канифольный безгалогеновый флюс для электроники

Цифровой миниатюрный вольтметр 0-100В с высотой цифры 7 мм красный

Конденсатор электролитический: 100 мкФ 400В, 105 градусов, 18 х 32 мм.

Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 = 10…40, Fгр = 20мГц, T = -60+125 C

Применяется для восстановления токопроводящего слоя на кнопках пультов ДУ, а также заделке трещин на гибких токоведущих шлейфах.

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

t -40 ... +200*C Применяется для смазки малонагруженных деталей трения, качения, автокосметика.

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Iос = 10а, Uзс = 400в, Uп. обр = 400в, Iуд = 200ma, Iу. от = 100ma, Uу. от = 5в

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 10a, Uкэ max = 30в, Uкэ нас < 0,5в, Pк. т. max = 50вт, h21 > 70, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Iк max = 20ma, Uкэ max = 10в, P max = 100мвт, h21 = 20…240, Kш = 4дб, Fгр > 3ГГц, T = -60+125 C

t -50 ... +250*C Применяется для смазки оргтехники, бытовых приборов, уплотнителей окон и автомобилей.

t -50 ... +250*C Применяется для смазки оргтехники, бытовых приборов, уплотнителей окон и автомобилей.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц. Iк max = 10ma, Uкэ max = 15в, P max = 50мвт, h21 > 10, Kш = 3,5дб, Fгр > 2,4ГГц, T = -60+125 C