TO220 (Ust=-8V; Im=1.5A)=L7908CV

SOIC14 (аналог ЛН1, 6 элементов НЕ)

Модуль усилителя на микросхеме PAM8403, D-класс, 2х3 Ватта, низкое потребление

TO220 (N; 55V; 17A; 45W; 0.07 Ohm)

TO220(Ust=24V; Im=1.5A)

TO220 (Ust=-18V; Im=1.5A)=L7918CV

ТО220 (6А; 600V; Igt=10mA)

Модуль повышающий напряжение с 0,9 до 5В

TO220 (Ust=-24V; Im=1.5A)=L7924CV

TO220F (NPN; 1500V; 5A; 25W; 0.3мкс)

TO220-5 (45Vmax; 3A; 52kHz; 1.23-37V+-4%)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

TO220 (Ust=-6V; Im=1.5A)=L7906CV

Микросхема MCP602-I/SN, произв. Microchip операционный усилитель Rail to Rail

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Регулируемый понижающий импульсный модуль питания на базе LM2596 с выходным током до 3А

Частотный диапазон: 20 - 67кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность: 45Вт, Корпус: DIP-8, Рабочая температура: -25°C - 130°C

Высококачественная печатная плата для самостоятельной сборки популярного металлоискателя CLONE PI AVR