Частотный диапазон: 93 - 107кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность: 52Вт, Корпус: DIP-8, Рабочая температура: -40°C - 150°C

Частотный диапазон: 20 - 67кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность: 45Вт, Корпус: DIP-8, Рабочая температура: -25°C - 130°C

Оптопары диодные. Образованы излучающим диодом на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом. Uвх = 1,5в, Iвх = 20ma, Uвх обр = 3,5в, Uвых обр = 30в, Uизол = 1500в

Застосовуються для роботи в мережах постійного,змінного, пульсуючого струмів і в імпульсному режимах. Конденсатори К73-17 замінюють конденсатори типів К73-5, К73-11, К73-15, К73-16, К73-2. ТУ 11-94 ОЖО.461.104, ОЖО.461. 104 ТУ.

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 30в, Pк max = 10вт, h21 > 20, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 30вт, h21 > 20, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C

Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора. Uвх < 1,6в, Iвх = 15ma, Uвх обр = 1,5в, Uвых ком = 30в, Iвых = 70ma, Uизол = 500в

Конденсатор электролитический: 2200 мкФ 63В, 105 градусов, 18 х 32 мм.

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	00516С
Производитель:	WOER

W-1-H - Безгалогенная подавляющая горение термоусадочная трубка со стенкой нормальной толщины

Регулируемый повышающий импульсный модуль питания на базе микросхемы XL6009 с выходным током до 3А

Флюс ЛТИ-120 (ОСТ4 Г0.033.200) – нейтральный активный флюс, предназначенный для лужения и пайки печатных плат, углеродистых сталей, цинка, меди, никеля, покрытий оловом, олово-висмут, кадмием, серебром и цинком без предварительной зачистки.

SF-RO/RA-34 - жидкий активированный флюс типа RA* с содержанием галогенов не более 1%, пригодный для пайки на повышенных температурах (до 360?С) и при значительных окислениях паяемых поверхностей.

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Iос = 10а, Uзс = 300в, Uп. обр = 300в, Iуд = 200ma, Iу. от = 100ma, Uу. от = 5в

Высококачественная печатная плата для самостоятельной сборки популярного металлоискателя CLONE PI AVR

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Диоды кремниевые, диффузионные, p-n проводимости, высокочастотные, выпрямительные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц. Uобр max = 600в, Uпр = 1,5в, I пр. max = 3а, I пр. имп max = 60a, F max = 50кГц, T = -60+125 C

TO220-5pin (Ust = 1.25 - 57V; I=3A)

DIP8(2.7-5.5V; 230mkA; 2.8MHz; 90dB; 2.3V/mks) двойной операционный усилитель Rail to Rail

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

Частотный диапазон: 93 - 107кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность : 240Вт, Корпус: TO-220-6, Рабочая температура: -40°C - 150°C

Оптопары резисторные. Uвх < 5,5в, Rвых т = 150мОм, Rвых св = 3кОм, Iвх = 20ma, Iвых = 2ma, Uвых = 250в, Uизол = 100в

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 10a, Uкэ max = 30в, Uкэ нас < 0,5в, Pк. т. max = 50вт, h21 > 70, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 350в, Pк т max = 60вт, h21 > 10, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C