Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 30в, Pк max = 10вт, h21 > 20, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 55в, Pк max = 10вт, h21 = 20…60, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 55в, Pк max = 12вт, h21 = 20…150, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 70в, Pк max = 10вт, h21 = 20…150, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 30вт, h21 > 20, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 24вт, h21 = 15…40, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 2,5а, Uкэ проб = 100в, Pк т max = 50вт, h21 > 500, Fгр > 7мГц

Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора. Uвх < 1,6в, Iвх = 15ma, Uвх обр = 1,5в, Uвых ком = 30в, Iвых = 70ma, Uизол = 500в

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	00516С
Производитель:	WOER

W-1-H - Безгалогенная подавляющая горение термоусадочная трубка со стенкой нормальной толщины

Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Можуть застосовуватися замість К73-16, МБМ, МБГЧ, МБГО, К42У-2.

Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Можуть застосовуватися замість К73-16, МБМ, МБГЧ, МБГО, К42У-2.

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Uобр имп max = 100в, I пр. max = 5а при T=+75С, I пр. max = 2а при T=+120С, F max = 1,1кГц

Высококачественная печатная плата для самостоятельной сборки популярного металлоискателя CLONE PI AVR

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Регулируемый понижающий импульсный модуль питания на базе LM2596 с выходным током до 3А

Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Можуть застосовуватися замість К73-16, МБМ, МБГЧ, МБГО, К42У-2.

TO220-5pin (Ust = 1.25 - 57V; I=3A)

DIP8(2.7-5.5V; 230mkA; 2.8MHz; 90dB; 2.3V/mks) двойной операционный усилитель Rail to Rail

Частотный диапазон: 93 - 107кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность : 240Вт, Корпус: TO-220-6, Рабочая температура: -40°C - 150°C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C