Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 100mа, Uкэ max = 180в, Uэб 0 max = 4в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 60мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 0,1а, Uкэ max = 300в, Pк т max = 1,2вт, h21 > 25, Uкэ нас < 1в, Fгр > 90мГц, T = -40+85 C

Конденсатори КТ4 - 23 керамічні підлаштування. Випускаються в конструктивному варіанті для друкованих схем з кріпленням пайкою за висновки. Призначені для роботи в мережах постійного, змінного та імпульсного струмів.

Транзисторы кремниевые диффузионные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 30mа, Uкэ max = 100в, Uэб 0 max = 2в, Pк т max = 0,25вт, h21 > 16, Fгр > 40мГц, T = -10+85 C

KA2284 (AN6884) SIP9 (3.5-16V) - пятиуровневый драйвер светодиодов уровня громкости. Микросхема даёт возможность управлять шкалой из 5 светодиодов, отображая на ней уровень звукового сигнала. Сигнал может быть не только звуковым. За счёт логарифмической шкалы, микросхема также может быть использована для индикации уровня звука.

TO220F (NPN; 800V; 6A; 30W; 0.3uS)

ГОСТ 19783-74 Обеспечивает эффективный тепловой контакт между двумя соприкасающимися поверхностями. Теплопроводность >= 0.65 W/Mk при 100С. Рабочая температура -60/+180С. Гарантийный срок хранения 1,5 года.

DIP8 (11.5-25V; 450kHz; 1A)

DIP8 (650V; 1A; 30 Ohm; 8-12W)

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	00516R
Производитель:	WOER

W-1-H - Безгалогенная подавляющая горение термоусадочная трубка со стенкой нормальной толщины

DIP8 (650V; 67kHz; 12-20W; 19 Ohm) = FSDM311

Повышающий DC/DC преобразователь: Uвх. 2-24 В. Uвых. max 28 В. Ток max 2 А.

Застосовуються для роботи в мережах постійного,змінного, пульсуючого струмів і в імпульсному режимах. Конденсатори К73-17 замінюють конденсатори типів К73-5, К73-11, К73-15, К73-16, К73-2. ТУ 11-94 ОЖО.461.104, ОЖО.461. 104 ТУ.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Панельки цанговые, ширина 0,3 дюйма (-20 PIN) (1лин.=24шт.), произв. Китай

Конденсатори К75-10 Комбіновані з металізованими обкладинками. Призначені для роботи в мережах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Конструкція: циліндрична форма в металевому корпусі. Висновки: дротяні і пелюсткові. Можуть застосовуватися замість: МБГО, К73П-2, К73-26, К75-24.

Конденсатори КТ4 - 23 керамічні підлаштування. Випускаються в конструктивному варіанті для друкованих схем з кріпленням пайкою за висновки. Призначені для роботи в мережах постійного, змінного та імпульсного струмів.