Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 2,5а, Uкэ проб = 60в, Pк т max = 50вт, h21 > 1000, Fгр > 7мГц

SF-RO/RA-34 - жидкий активированный флюс типа RA* с содержанием галогенов не более 1%, пригодный для пайки на повышенных температурах (до 360?С) и при значительных окислениях паяемых поверхностей.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Частотный диапазон: 93 - 107кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность: 52Вт, Корпус: DIP-8, Рабочая температура: -40°C - 150°C

Частотный диапазон: 20 - 67кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность: 45Вт, Корпус: DIP-8, Рабочая температура: -25°C - 130°C

Диоды кремниевые, выпрямительные, средней мощности, диффузионные. Uобр max = 200в, Uпр = 1,2в, I пр. max = 10а, I пр. имп max = 100a, F max = 100кГц

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 30в, Pк max = 10вт, h21 > 20, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 55в, Pк max = 10вт, h21 = 20…60, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 70в, Pк max = 10вт, h21 = 20…150, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 30вт, h21 > 20, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 24вт, h21 = 15…40, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 2,5а, Uкэ проб = 100в, Pк т max = 50вт, h21 > 500, Fгр > 7мГц

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	00516С
Производитель:	WOER

W-1-H - Безгалогенная подавляющая горение термоусадочная трубка со стенкой нормальной толщины

Uобр max = 1000в, I пр. max = 3а, F max = 100кГц

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Iос = 10а, Uзс = 200в, Uп. обр = не регламентируется, Iуд = 200ma, Iу. от = 100ma, Uу. от = 5в

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Iос = 10а, Uзс = 200в, Uп. обр = 200в, Iуд = 200ma, Iу. от = 100ma, Uу. от = 5в

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Iос = 10а, Uзс = 300в, Uп. обр = 300в, Iуд = 200ma, Iу. от = 100ma, Uу. от = 5в

Диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Uобр имп max = 100в, I пр. max = 5а при T=+75С, I пр. max = 2а при T=+120С, F max = 1,1кГц

Транзистор биполярный аудио и общего назначения TO-3P NPN, 140V, 10A, 100W, 20MHz, комплементарная пара 2SA1965

Высококачественная печатная плата для самостоятельной сборки популярного металлоискателя CLONE PI AVR