Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Iк max = 1а, Uкэ max = 120в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 80…240, Uкэ нас < 0,3в, Fгр > 50мГц, T = -60+125 C

Транзисторы полевые арсенидгаллиевые с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц. Uси max = 2в, Uзи отс = 4в, S > 5ma/в, P max = 25мвт, Kш < 2дб, Kур > 4,5дб, Fгр =8ГГц, T = -60+70 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 20а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Iк max = 2,5а, Uкэ max = 500в, Pк max = 15вт, h21 = 10…100, Uкэ нас = 5в, Fгр = 3мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 150в, Pк т max = 50вт, h21 = 10...60, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 51мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 20а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные, усилительные. Iк max = 0,3a, Uкэ max = 26в, P max = 1,5вт, h21 = 50…250, Fгр > 1ГГц, T = -60+125 C