Транзисторы кремниевые планарные полевые со статической индукцией и каналом n-типа. P max = 40вт, Uси max = 300в, Iс max = 10а, Rси отк < 0,1Ом, tвкл < 0,1мкс, tвыкл < 2,5мкс, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 = 15…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 30а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 50вт, h21 = 10…60, Uкэ нас < 0,8в, T = -60+70 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 5вт, h21 = 30…120, Uкэ нас < 1,5в, Fгр =75мГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 600в, Pк max = 0,8вт, h21 > 30, Uкэ нас = 0,6в, Fгр = 10мГц, T = -45+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 60…140ma/в, Iс нач < 600ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 85…140ma/в, Iс нач < 700ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 50…130ma/в, Iс нач < 480ma, Rси отк < 21Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C