Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Iк max = 20ma, Uкэ max = 15в, P max = 100мвт, h21 > 40, Kш = 2дб, Fгр > 1,8ГГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные. Iс max = 4а, Uси max = 70в, P max = 20вт, Рвых >6,7вт, S = 60…170ma/в, Iс нач < 200ma, Kур >7дб, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые планарные полевые со статической индукцией и каналом n-типа. P max = 40вт, Uси max = 300в, Iс max = 10а, Rси отк < 0,1Ом, tвкл < 0,1мкс, tвыкл < 2,5мкс, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 = 15…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 30а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 50вт, h21 = 10…60, Uкэ нас < 0,8в, T = -60+70 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 5вт, h21 = 30…120, Uкэ нас < 1,5в, Fгр =75мГц, T = -60+125 C