Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 600в, Pк max = 0,8вт, h21 > 30, Uкэ нас = 0,6в, Fгр = 10мГц, T = -45+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 60…140ma/в, Iс нач < 600ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 85…140ma/в, Iс нач < 700ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 50…130ma/в, Iс нач < 480ma, Rси отк < 21Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые меза-планарные структуры n-p-n импульсные, переключательные. Iк max = 5а, Uкэ max = 1500в, Pк т max = 12,5вт, Uкэ нас < 1в, Fгр > 2мГц, T = -25+100 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 100вт, h21 = 12…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Iк max = 60ma, Uкэ max = 15в, P max = 225мвт, h21 = 160…400, Fгр = 1ГГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Iк max = 30ma, Uкэ max = 15в, P max = 225мвт, h21 = 80…300, Fгр = 1,5ГГц, T = -60+125 C

Транзистор германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, а также в преобразователях напряжения. Iк max = 12а, Uкэ max = 100в, Pк max = 50вт, h21 > 10, Fгр > 10кГц, T = -50+70 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Iк max = 3,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 27в, P max = 12,5вт, h21 = 10…80, Fгр > 90мГц, Kур = 8дб, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц. Iк max = 20ma, Uкэ max = 15в, P max = 100мвт, h21 = 35…300, Kш = 3дб, Fгр > 4ГГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума. Iк max = 8,5ma, Uкэ max = 10в, P max = 70мвт, h21 = 15…110, Kш = 5дб, Fгр > 5,8ГГц, T = -60+125 C