Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 = 10…40, Fгр = 20мГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

Регулируемый повышающий импульсный модуль питания на базе микросхемы XL6009 с выходным током до 3А

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 8а, Uкб max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 7мГц, T = -60+100 C

Безотмывочный канифольный безгалогеновый флюс для электроники

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 350в, Pк т max = 60вт, h21 > 10, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C

Безотмывочный канифольный безгалогеновый флюс для электроники

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Iк max = 20ma, Uкэ max = 10в, P max = 100мвт, h21 = 20…240, Kш = 4дб, Fгр > 3ГГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц. Iк max = 10ma, Uкэ max = 15в, P max = 50мвт, h21 > 10, Kш = 3,5дб, Fгр > 2,4ГГц, T = -60+125 C

Трехразрядный вольтметр постоянного тока с красным светодиодным индикатором 4,5-30 В, высота цифры - 9 мм, два провода

Флюс паста паяльная SF-OR/AL-28 для пайки алюминия, н/ж стали, никеля, меди и др. металлов 25 г

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 60вт, h21 > 12, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 10а, Uкэ max = 500в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 10мГц, T = -40+100 C

Конденсатор аксиальный полиэтилентерефталатный металлизированный постоянной емкости

Модель: CPT-2128,CPT-2154,CPT-2478,CPT-2508,CPT-2528,CPT-2538 CPT-2808 CPT-2828ТМ,СМТ-1450,CMT-2086,CMT-2096,CMT-2118,CMT-2141,CMT-2153,CMT-2441,CMT-4200,С14Р090,С14Р091,С14Р101,С14Р141,С14Р190,С14Р191 С14Р192 С14Р601 С14Р602 С14Р690-R,C14P740AVR,C28P500

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 12, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 400в, Pк т max = 60вт, h21 = 10…60, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C

Предназначена для смазки и защиты от влаги металлических, пластиковых, керамических, резиновых и других контактных поверхностей в электротехнических приборах, сантехнических узлах, компьютерной, бытовой и оргтехнике.

Конденсатор аксиальный полиэтилентерефталатный металлизированный постоянной емкости

Микросхема представляет собой емкостное реле и предназначена для управления тиристором или симистором в электрической схеме электросушителя. Корпус КМ1025КП2 типа 201.16-5, корпус КС1025КП2 типа 2103.16-3.

Конденсатор аксиальный полиэтилентерефталатный металлизированный постоянной емкости