Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 50в, Pк max = 1вт, h21 = 40…200, Uкэ нас < 0,85в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 800 МГц. Iк max = 50ma, Uкэ max = 25в, Pк max = 170мвт, h21 > 15, Kш = 6дб, Fгр > 800мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 100mа, Uкэ max = 180в, Uэб 0 max = 4в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 10…40, Fгр > 60мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 100mа, Uкэ max = 180в, Uэб 0 max = 4в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 60мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 0,1а, Uкэ max = 300в, Pк т max = 1,2вт, h21 > 25, Uкэ нас < 1в, Fгр > 90мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 0,1а, Uкэ max = 250в, Pк т max = 1,2вт, h21 > 25, Uкэ нас < 1в, Fгр > 90мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые диффузионные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 30mа, Uкэ max = 100в, Uэб 0 max = 2в, Pк т max = 0,25вт, h21 > 16, Fгр > 40мГц, T = -10+85 C

DIP-7

DIP8 (650V; 1A; 30 Ohm; 8-12W)

Кремнийорганическая Невысыхающая. Применяется для улучшения теплового контакта между нагревающимися элементами РЭА и радиатора.

SO8 (+-18V; 8-13V/mks; Un=18nV; 3MHz; 0.003%) сдвоенный

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	00516R
Производитель:	WOER

W-1-H - Безгалогенная подавляющая горение термоусадочная трубка со стенкой нормальной толщины

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Iк max = 1а, Uкэ max = 150в, Pк т max = 1,2вт, h21 = 40…120, Uкэ нас < 0,45в, Fгр > 50мГц, T = -60+125 C

SO8 (P; 14V; 11A; 2.5W; 0.012 Ohm)

Панельки цанговые, ширина 0,3 дюйма (-18 PIN)(1лин.=26шт.), произв. Китай

DIP8 (650V; 67kHz; 12-20W; 19 Ohm) = FSDM311

Флюс AMTECH RMA-223, вес 10 грамм. Флюсы типа RMA (Rosin Mildly Activated), на канифольной основе, применяются для монтажа микросхем в корпусах BGA, PGA, PLCC, QFP, CSP, характеризуются очень хорошим смачиванием рабочей поверхности.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C