DIP8 (600V; 50%; 15.6Vst; Tr/Tp 80/40ns) самотактируемый полумостовой

SF-RO/RA-34 - жидкий активированный флюс типа RA* с содержанием галогенов не более 1%, пригодный для пайки на повышенных температурах (до 360?С) и при значительных окислениях паяемых поверхностей.

Диоды лавинные, мезадиффузионные, кремниевые. Uобр имп max = 500в, I пр. max = 5а, I пр. имп max = 100a, F max = 1кГц

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Iос = 10а, Uзс = 300в, Uп. обр = 300в, Iуд = 200ma, Iу. от = 100ma, Uу. от = 5в

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Uобр имп max = 100в, I пр. max = 5а при T=+75С, I пр. max = 2а при T=+120С, F max = 1,1кГц

Высококачественная печатная плата для самостоятельной сборки популярного металлоискателя CLONE PI AVR

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Диоды кремниевые, диффузионные, p-n проводимости, высокочастотные, выпрямительные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц. Uобр max = 600в, Uпр = 1,5в, I пр. max = 3а, I пр. имп max = 60a, F max = 50кГц, T = -60+125 C

Модуль USB с двумя нагрузочными резисторами, с переключателем - 1/2 А

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Iос = 10а, Uзс = 400в, Uп. обр = не регламентируется, Iуд = 200ma, Iу. от = 100ma, Uу. от = 5в

TO220-5pin (Ust = 1.25 - 57V; I=3A)

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

Частотный диапазон: 93 - 107кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность : 240Вт, Корпус: TO-220-6, Рабочая температура: -40°C - 150°C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 8а, Uкб max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 7мГц, T = -60+100 C

Оптопары резисторные. Uвх < 5,5в, Rвых т = 15мОм, Rвых св = 400Ом, Iвх = 20ma, Iвых = 2ma, Uвых = 250в, Uизол = 100в

Оптопары резисторные. Uвх < 5,5в, Rвых т = 150мОм, Rвых св = 3кОм, Iвх = 20ma, Iвых = 2ma, Uвых = 250в, Uизол = 100в

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 10a, Uкэ max = 30в, Uкэ нас < 0,5в, Pк. т. max = 50вт, h21 > 70, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C

Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов. Uвх < 1,6в, Iвх = 40ma, Uвх обр = 0,5в, Uвых ком = 50в, Iвых = 8ma, Uизол > 1500в

РЭС-22 РФ4.523.023-08.02 зачехленное, двухпозиционное, одностабильное, с четырьмя переключающими контактами реле постоянного тока, предназначено для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока частотой 50…1000 Гц.