Конденсатори К75-10 Комбіновані з металізованими обкладинками. Призначені для роботи в мережах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Конструкція: циліндрична форма в металевому корпусі. Висновки: дротяні і пелюсткові. Можуть застосовуватися замість: МБГО, К73П-2, К73-26, К75-24.

DIP7 (85-265V; 1.9W; 66kHz; 136mA)

Применяется для твердой пайки железа, латуни меди, бронзы и т.п.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C

Застосовуються для роботи в мережах постійного,змінного, пульсуючого струмів і в імпульсному режимах. Конденсатори К73-17 замінюють конденсатори типів К73-5, К73-11, К73-15, К73-16, К73-2. ТУ 11-94 ОЖО.461.104, ОЖО.461. 104 ТУ.

Реле герметичное, двухпозиционное, одностабильное, с одним переключающим контактом, предназначено для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока. Uраб = 27в, Rобм = 1520...2185 Ом,Iср = 8,4ma, Iотп = 1,2ma, IкОм = 0,001…1а, Uком = 6…150 в

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Iк max = 4а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 40…100, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C

TO220 (Ust=-6V; Im=1.5A)=L7906CV

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Iк max = 0,6а, Uкэ max = 40в, P max = 1вт, h21 = 40…120, Uкэ нас = 0,4в, Fгр > 200мГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 63…160, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C

Тиристор низкочастотный. Iср max = 10а, Udrm = 400в, Iотп = 25ma, Uотп = 2,5в

TO220 (Ust=5V; Im=1.5A)

TO220 (Ust=12V; Im=1.5A)

Диоды кремниевые, выпрямительные, средней мощности, диффузионные. Uобр max = 100в, Uпр = 1,2в, I пр. max = 10а, I пр. имп max = 100a, F max = 100кГц

SO8 (N+N; 30V;4.9A; 2W; 0.05 Ohm)

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	30008
Производитель:	SEP ELECTRONIC CORP.

Мост однофазный: 35 А, 1000 В, выводы под клеммы 6,3 мм

Четыре буферных элемента с тремя состояниями на выходе

Призначені для роботи в мережах постійного і пульсуючого струму. Виготовляються в кліматичному виконанні В і УХЛ. Конструкція герметична. Конденсатори стійкі до впливу зовнішніх факторів, відповідно до ОСТ в 11 0025-84 зі значеннями характеристик для групи виконання ЗУ з доповненнями і уточненнями в ОЖО.464.044 ТУ.

ZIP17H (6-18V; 4х11W/4 Ohm УНЧ)

ZIP17H (6-18V; 4х11W/4 Ohm УНЧ)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C