TO220F (NPN; 800V; 6A; 30W; 0.3uS)

Оптический инфракрасный датчик обхода препятствий для ARDUINO

DIP-7

Призначені для роботи в мережах постійного і пульсуючого струму. Виготовляються в кліматичному виконанні В і УХЛ. Конструкція герметична. Конденсатори стійкі до впливу зовнішніх факторів, відповідно до ОСТ в 11 0025-84 зі значеннями характеристик для групи виконання ЗУ з доповненнями і уточненнями в ОЖО.464.044 ТУ.

Застосовуються для роботи в мережах постійного,змінного, пульсуючого струмів і в імпульсному режимах. Конденсатори К73-17 замінюють конденсатори типів К73-5, К73-11, К73-15, К73-16, К73-2. ТУ 11-94 ОЖО.461.104, ОЖО.461. 104 ТУ.

Терморезисторы ММТ-1 негерметизированные, незащищенные, неизолированные. Предназначены для работы в цепях постоянного, пульсирующего и переменного тока частотой до 400 Гц в импульсных режимах, для измерения и регулирования температуры, а также для температурной компенсации элементов электрической цепи с положительным температурным коэффициентом сопротивления. Промежуточные значения номинальных сопротивлений соответствуют ряду E6 с допуском ±20%

Терморезисторы ММТ-1 негерметизированные, незащищенные, неизолированные. Предназначены для работы в цепях постоянного, пульсирующего и переменного тока частотой до 400 Гц в импульсных режимах, для измерения и регулирования температуры, а также для температурной компенсации элементов электрической цепи с положительным температурным коэффициентом сопротивления. Промежуточные значения номинальных сопротивлений соответствуют ряду E6 с допуском ±20%

TO220F (N; 600V; 11A; 50W; 0.65 Ohm)

Широкополосный динамик с открытой магнитной системой и металлической корзиной. Диаметр: 50мм, высота 20mm. Сопротивление: 8 Ом. Шумовая мощность: 1Вт. Частотный диапазон: 300-8000 Гц

DIP-8

ГОСТ 19783-74 Обеспечивает эффективный тепловой контакт между двумя соприкасающимися поверхностями. Теплопроводность >= 0.65 W/Mk при 100С. Рабочая температура -60/+180С. Гарантийный срок хранения 1,5 года.

Оптопары транзисторные с открытым оптическим каналом в пластмассовом корпусе, состоящие из эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевого эпитаксиально планарного транзисторного фотоприемника. Uвх < 1,8в, Iвх = 10ma, Uвх обр = 0,4в, Uвых ком = 5в, Iвых = 20ma

DIP8 (11.5-25V; 450kHz; 1A)

DIP8 (650V; 1A; 30 Ohm; 8-12W)

Транзистор полевой MOSFET P-канал 20V 6.7A

Миниатюрный регулируемый понижающий импульсный модуль питания с выходным током до 2А

4 контакта, 2 группы ON-OFF

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	00516R
Производитель:	WOER

W-1-H - Безгалогенная подавляющая горение термоусадочная трубка со стенкой нормальной толщины

Терморезисторы ММТ-1 негерметизированные, незащищенные, неизолированные. Предназначены для работы в цепях постоянного, пульсирующего и переменного тока частотой до 400 Гц в импульсных режимах, для измерения и регулирования температуры, а также для температурной компенсации элементов электрической цепи с положительным температурным коэффициентом сопротивления. Промежуточные значения номинальных сопротивлений соответствуют ряду E6 с допуском ±20%

Терморезисторы ММТ-1 негерметизированные, незащищенные, неизолированные. Предназначены для работы в цепях постоянного, пульсирующего и переменного тока частотой до 400 Гц в импульсных режимах, для измерения и регулирования температуры, а также для температурной компенсации элементов электрической цепи с положительным температурным коэффициентом сопротивления. Промежуточные значения номинальных сопротивлений соответствуют ряду E6 с допуском ±20%

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85