Частотный диапазон: 93 - 107кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность: 52Вт, Корпус: DIP-8, Рабочая температура: -40°C - 150°C

Частотный диапазон: 20 - 67кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность: 45Вт, Корпус: DIP-8, Рабочая температура: -25°C - 130°C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Застосовуються для роботи в мережах постійного,змінного, пульсуючого струмів і в імпульсному режимах. Конденсатори К73-17 замінюють конденсатори типів К73-5, К73-11, К73-15, К73-16, К73-2. ТУ 11-94 ОЖО.461.104, ОЖО.461. 104 ТУ.

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 30в, Pк max = 10вт, h21 > 20, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 55в, Pк max = 10вт, h21 = 20…60, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 55в, Pк max = 12вт, h21 = 20…150, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 70в, Pк max = 10вт, h21 = 20…150, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 30вт, h21 > 20, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 24вт, h21 = 15…40, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C

Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора. Uвх < 1,6в, Iвх = 15ma, Uвх обр = 1,5в, Uвых ком = 30в, Iвых = 70ma, Uизол = 500в

Конденсатор электролитический: 2200 мкФ 63В, 105 градусов, 18 х 32 мм.

Регулируемый повышающий импульсный модуль питания на базе микросхемы XL6009 с выходным током до 3А

Флюс ЛТИ-120 (ОСТ4 Г0.033.200) – нейтральный активный флюс, предназначенный для лужения и пайки печатных плат, углеродистых сталей, цинка, меди, никеля, покрытий оловом, олово-висмут, кадмием, серебром и цинком без предварительной зачистки.

DIP8 (600V; 50%; 15.6Vst; Tr/Tp 80/40ns) самотактируемый полумостовой

SF-RO/RA-34 - жидкий активированный флюс типа RA* с содержанием галогенов не более 1%, пригодный для пайки на повышенных температурах (до 360?С) и при значительных окислениях паяемых поверхностей.

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Высококачественная печатная плата для самостоятельной сборки популярного металлоискателя CLONE PI AVR

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Диоды кремниевые, диффузионные, p-n проводимости, высокочастотные, выпрямительные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц. Uобр max = 600в, Uпр = 1,5в, I пр. max = 3а, I пр. имп max = 60a, F max = 50кГц, T = -60+125 C

Модуль USB с двумя нагрузочными резисторами, с переключателем - 1/2 А

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C