ТО220 (6А; 600V; Igt=10mA)

Тиристоры кремниевые диффузионно-сплавные, p-типа, триодные, незапираемые. Iос.ср. = 75mа, Uзс = 50в, Uп. обр = 10в, Pос.ср = 0,15вт, Iу. от = 12ma, Uу. от = 10в, tвкл = 2мкс, tвыкл = 70мкс

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 0,8а, Uкэ max = 45в, Pк max = 0,5вт, h21 = 110…220, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 200мГц, T = -40+85 C

Панельки цанговые, ширина 0,3 дюйма (-24 PIN) (1лин.=20шт.), произв. Китай

TO-220 (N; 400V; 5,5A; 74W; 1Ohm)

Застосовуються для роботи в мережах постійного,змінного, пульсуючого струмів і в імпульсному режимах. Конденсатори К73-17 замінюють конденсатори типів К73-5, К73-11, К73-15, К73-16, К73-2. ТУ 11-94 ОЖО.461.104, ОЖО.461. 104 ТУ.

Застосовуються для роботи в мережах постійного,змінного, пульсуючого струмів і в імпульсному режимах. Конденсатори К73-17 замінюють конденсатори типів К73-5, К73-11, К73-15, К73-16, К73-2. ТУ 11-94 ОЖО.461.104, ОЖО.461. 104 ТУ.

Тиристоры кремниевые диффузионно-сплавные, p-типа, триодные, незапираемые. Iос.ср. = 75mа, Uзс = 50в, Uп. обр = 10в, Pос.ср = 0,15вт, Iу. от = 12ma, Uу. от = 10в, tвкл = 2мкс, tвыкл = 70мкс

Призначені для роботи в мережах постійного і пульсуючого струму. Виготовляються в кліматичному виконанні В і УХЛ. Конструкція герметична. Конденсатори стійкі до впливу зовнішніх факторів, відповідно до ОСТ в 11 0025-84 зі значеннями характеристик для групи виконання ЗУ з доповненнями і уточненнями в ОЖО.464.044 ТУ.

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 200mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 40мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 100mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,4вт, h21 = 30…120, Fгр > 40мГц, T = -40+125 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 200mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 10…40, Fгр > 40мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 1вт, h21 = 63…160, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 50мГц, T = -45+85 C

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	30003
Производитель:	SEP ELECTRONIC CORP.

Мост однофазный 1000V; 25A тонкий с отверстием

SO8 (P; -30V; -12A; 3.1W; 14 mOhm)

SO8 (+-22V; 5.5MHz; 90dB; 2.2V/mks) аналог NJM4558, BA4558... сдвоенный

TO220 (Ust=-24V; Im=1.5A)=L7924CV

Модуль повышающий напряжение с 0,9 до 5В

DIP18 ТТЛ или 5V-КМОП входы, Uвых макс=50V, Iвых макс=0.5A