Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 200mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 40мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 100mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,4вт, h21 = 30…120, Fгр > 40мГц, T = -40+125 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n. Iк max = 200mа, Uкэ max = 250в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 10…40, Fгр > 40мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 1вт, h21 = 63…160, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 50мГц, T = -45+85 C

TO220 (N; 500V; 8A; 125W; 0,85 Ohm)

TO220 (N; 55V; 49A; 94W; 0.0175 Ohm)

TO220 (Ust=-24V; Im=1.5A)=L7924CV

Модуль повышающий напряжение с 0,9 до 5В

TO220-5 (45Vmax; 3A; 52kHz; 1.23-37V+-4%)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 80в, Pк max = 6,5вт, h21 = 15…45, Uкэ нас < 1в, Fгр > 45мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 60в, Pк max = 5вт, h21 = 30…150, Uкэ нас = 2в, Fгр = 10мГц, T = -60+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 50в, Pк max = 1вт, h21 = 40…200, Uкэ нас < 0,85в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 800 МГц. Iк max = 50ma, Uкэ max = 25в, Pк max = 170мвт, h21 > 15, Kш = 6дб, Fгр > 800мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 100mа, Uкэ max = 180в, Uэб 0 max = 4в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 10…40, Fгр > 60мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 100mа, Uкэ max = 180в, Uэб 0 max = 4в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 60мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 0,1а, Uкэ max = 300в, Pк т max = 1,2вт, h21 > 25, Uкэ нас < 1в, Fгр > 90мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 0,1а, Uкэ max = 250в, Pк т max = 1,2вт, h21 > 25, Uкэ нас < 1в, Fгр > 90мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 1вт, h21 = 40…100, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 50мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые диффузионные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 30mа, Uкэ max = 100в, Uэб 0 max = 2в, Pк т max = 0,25вт, h21 > 16, Fгр > 40мГц, T = -10+85 C

Диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Uобр max = 420в, Uобр имп max = 600в, I пр. max = 5а, I пр. имп max = 9a, F max = 1,2кГц

Диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Uобр max = 70в, Uобр имп max = 100в, I пр. max = 5а, I пр. имп max = 9a, F max = 1,2кГц

Флюс FAW-2.3 обладает хорошей смачиваемостью и подходит для пайки оловянно-свинцовых, бессвинцовых и сплавов с плохой паяемостью. Составляющие флюса почти полностью испаряются во время пайки.

Оптопары транзисторные с открытым оптическим каналом в пластмассовом корпусе, состоящие из эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевого эпитаксиально планарного транзисторного фотоприемника. Uвх < 1,8в, Iвх = 10ma, Uвх обр = 0,4в, Uвых ком = 5в, Iвых = 20ma