Канифольный паяльный флюс FRAI-32.7 не содержит галогенов и предназначен для достижения отличной паяемости и надежности плат с высокой плотностью монтажа при использовании как бессвинцовых материалов, так и классического оловянно-свинцового припоя.

DC/DC преобразователь, понижающий. Uвх. 6-24V Uвых. 5V Ток выходной 3А макс. USB-выход

Частотный диапазон: 93 - 107кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность: 52Вт, Корпус: DIP-8, Рабочая температура: -40°C - 150°C

Частотный диапазон: 20 - 67кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность: 45Вт, Корпус: DIP-8, Рабочая температура: -25°C - 130°C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Флюс паяльный SF-OR/LF-3.5 был специально разработан для пайки с применением любых типов олово-свинцовых припоев, а так же припоев не содержащих свинец.

Конденсатор электролитический: 2200 мкФ 63В, 105 градусов, 18 х 32 мм.

Регулируемый повышающий импульсный модуль питания на базе микросхемы XL6009 с выходным током до 3А

DIP8 (600V; 50%; 15.6Vst; Tr/Tp 80/40ns) самотактируемый полумостовой

SF-RO/RA-34 - жидкий активированный флюс типа RA* с содержанием галогенов не более 1%, пригодный для пайки на повышенных температурах (до 360?С) и при значительных окислениях паяемых поверхностей.

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Высококачественная печатная плата для самостоятельной сборки популярного металлоискателя CLONE PI AVR

DIP8(2.7-5.5V; 230mkA; 2.8MHz; 90dB; 2.3V/mks) двойной операционный усилитель Rail to Rail

Частотный диапазон: 93 - 107кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность : 240Вт, Корпус: TO-220-6, Рабочая температура: -40°C - 150°C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 8а, Uкб max = 100в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 7мГц, T = -60+100 C

Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов. Uвх < 1,6в, Iвх = 40ma, Uвх обр = 0,5в, Uвых ком = 50в, Iвых = 8ma, Uизол > 1500в

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 350в, Pк т max = 60вт, h21 > 10, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C

Вентилятор 50x50x10 мм, 12 вольт, 0.16 ампер. Макс. скорость 4200 об./мин +-10%, воздушный поток 8,34 CFM (Макс.), уровень шума 28дБ(А), срок работы на отказ 30000 часов.