Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 40в, Pк max = 1вт, h21 > 150, Uкэ нас < 0,25в, Fгр > 250мГц, T = -45+85

SO8 (P; 14V; 11A; 2.5W; 0.012 Ohm)

Панельки цанговые, ширина 0,3 дюйма (-18 PIN)(1лин.=26шт.), произв. Китай

DIP8 (650V; 67kHz; 12-20W; 19 Ohm) = FSDM311

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 80в, Pк max = 5вт, h21 = 13…50, Uкэ нас = 2в, Fгр = 10мГц, T = -60+85 C

DIP7 (85-265V; 1.9W; 66kHz; 136mA)

Реле герметичное, двухпозиционное, одностабильное, с одним переключающим контактом, предназначено для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока. Uраб = 27в, Rобм = 1520...2185 Ом,Iср = 8,4ma, Iотп = 1,2ma, IкОм = 0,001…1а, Uком = 6…150 в

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 40…100, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 63…160, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Iк max = 4а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C

SO8 (N+N; 30V;4.9A; 2W; 0.05 Ohm)

Кислота ортофосфорная (паяльная) используется при пайке в качестве флюса (по окисленой меди, по чёрному металлу, по нержавеющей стали). Применяется также для очищения от ржавчины металлических поверхностей.

Призначені для роботи в мережах постійного і пульсуючого струму. Виготовляються в кліматичному виконанні В і УХЛ. Конструкція герметична. Конденсатори стійкі до впливу зовнішніх факторів, відповідно до ОСТ в 11 0025-84 зі значеннями характеристик для групи виконання ЗУ з доповненнями і уточненнями в ОЖО.464.044 ТУ.

ZIP17H (6-18V; 4х11W/4 Ohm УНЧ)

ZIP17H (6-18V; 4х11W/4 Ohm УНЧ)

Конденсатор аксиальный полиэтилентерефталатный металлизированный постоянной емкости

Микросхема MCP602-I/SN, произв. Microchip операционный усилитель Rail to Rail