Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Iк max = 1а, Uкэ max = 50в, Pк max = 1вт, h21 = 40…200, Uкэ нас < 0,85в, Fгр > 250мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 800 МГц. Iк max = 50ma, Uкэ max = 25в, Pк max = 170мвт, h21 > 15, Kш = 6дб, Fгр > 800мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 100mа, Uкэ max = 180в, Uэб 0 max = 4в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 10…40, Fгр > 60мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 100mа, Uкэ max = 180в, Uэб 0 max = 4в, Pк т max = 0,8вт, h21 = 30…120, Fгр > 60мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 0,1а, Uкэ max = 300в, Pк т max = 1,2вт, h21 > 25, Uкэ нас < 1в, Fгр > 90мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 0,1а, Uкэ max = 250в, Pк т max = 1,2вт, h21 > 25, Uкэ нас < 1в, Fгр > 90мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 1вт, h21 = 40…100, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 50мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые диффузионные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 30mа, Uкэ max = 100в, Uэб 0 max = 2в, Pк т max = 0,25вт, h21 > 16, Fгр > 40мГц, T = -10+85 C

KA2284 (AN6884) SIP9 (3.5-16V) - пятиуровневый драйвер светодиодов уровня громкости. Микросхема даёт возможность управлять шкалой из 5 светодиодов, отображая на ней уровень звукового сигнала. Сигнал может быть не только звуковым. За счёт логарифмической шкалы, микросхема также может быть использована для индикации уровня звука.

TO220F (NPN; 800V; 6A; 30W; 0.3uS)

DIP-7

Призначені для роботи в мережах постійного і пульсуючого струму. Виготовляються в кліматичному виконанні В і УХЛ. Конструкція герметична. Конденсатори стійкі до впливу зовнішніх факторів, відповідно до ОСТ в 11 0025-84 зі значеннями характеристик для групи виконання ЗУ з доповненнями і уточненнями в ОЖО.464.044 ТУ.

SO18 ТТЛ или 5V-КМОП входы, Uвых макс=50V, Iвых макс=0.5A

ГОСТ 19783-74 Обеспечивает эффективный тепловой контакт между двумя соприкасающимися поверхностями. Теплопроводность >= 0.65 W/Mk при 100С. Рабочая температура -60/+180С. Гарантийный срок хранения 1,5 года.

Широкополосный динамик с открытой магнитной системой и металлической корзиной. Диаметр: 50мм, высота 20mm. Сопротивление: 8 Ом. Шумовая мощность: 1Вт. Частотный диапазон: 300-8000 Гц

Оптопары транзисторные с открытым оптическим каналом в пластмассовом корпусе, состоящие из эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевого эпитаксиально планарного транзисторного фотоприемника. Uвх < 1,8в, Iвх = 10ma, Uвх обр = 0,4в, Uвых ком = 5в, Iвых = 20ma

DIP8 (11.5-25V; 450kHz; 1A)

DIP8 (650V; 1A; 30 Ohm; 8-12W)

Миниатюрный регулируемый понижающий импульсный модуль питания с выходным током до 2А

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	00516R
Производитель:	WOER

W-1-H - Безгалогенная подавляющая горение термоусадочная трубка со стенкой нормальной толщины