Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Можуть застосовуватися замість К73-16, МБМ, МБГЧ, МБГО, К42У-2.

TO220F (NPN; 800V; 6A; 30W; 0.3uS)

Оптический инфракрасный датчик обхода препятствий для ARDUINO

ГОСТ 19783-74 Обеспечивает эффективный тепловой контакт между двумя соприкасающимися поверхностями. Теплопроводность >= 0.65 W/Mk при 100С. Рабочая температура -60/+180С. Гарантийный срок хранения 1,5 года.

DIP8 (650V; 3A; 67kHz; 3.6 Ohm)

Застосовуються для роботи в мережах постійного,змінного, пульсуючого струмів і в імпульсному режимах. Конденсатори К73-17 замінюють конденсатори типів К73-5, К73-11, К73-15, К73-16, К73-2. ТУ 11-94 ОЖО.461.104, ОЖО.461. 104 ТУ.

Миниатюрный регулируемый понижающий импульсный модуль питания с выходным током до 2А

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	00516R
Производитель:	WOER

W-1-H - Безгалогенная подавляющая горение термоусадочная трубка со стенкой нормальной толщины

П’єзоелектричні звуковипромінювачі серії зп-електроакустичні пристрої відтворення звуку, працездатність яких заснована на властивостях зворотного п’єзоелектричного ефекту. П’єзовипромінювачі зп характеризуються звуковим тиском 75дБ, частотою резонансу 1000Гц - 5000гц, робочою напругою 3в-9в. граничні робочі температури-30-60°С. Застосовуються п’єзоизлучатели ЗП в якості звуковипромінюючих елементів в різній апаратурі: дзвінки, елементи для дзвінків, випромінювачі, будильників, п`єзотрансформаторів, звукових іграшок, п`єзозажигалок, різних датчиків оповіщення і т. д.

DIP8 (650V; 67kHz; 12-20W; 19 Ohm) = FSDM311

Застосовуються для роботи в мережах постійного,змінного, пульсуючого струмів і в імпульсному режимах. Конденсатори К73-17 замінюють конденсатори типів К73-5, К73-11, К73-15, К73-16, К73-2. ТУ 11-94 ОЖО.461.104, ОЖО.461. 104 ТУ.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Призначені для роботи в ланцюгах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Можуть застосовуватися замість К73-16, МБМ, МБГЧ, МБГО, К42У-2.

Конденсатори К75-10 Комбіновані з металізованими обкладинками. Призначені для роботи в мережах постійного, змінного, пульсуючого струмів і в імпульсних режимах. Конструкція: циліндрична форма в металевому корпусі. Висновки: дротяні і пелюсткові. Можуть застосовуватися замість: МБГО, К73П-2, К73-26, К75-24.

DIP7 (85-265V; 1.9W; 66kHz; 136mA)