Уведомить о поступлении товара

Теплопроводящая паста белого цвета, теплопроводность > 1 W/Mk, рабочая температура -50...+200С

Уведомить о поступлении товара

Модуль фотодатчика (датчик освещённости) с пороговым компаратором. Позволяет оценить уровень освещённости, а также управлять им. Порог срабатывания компаратора регулируется подстроечным резистором. В качестве датчика света используется фоторезистор.

Уведомить о поступлении товара

Набор для сборки электронного устройства. Представляет собой упаковку с печатной платой и электронными компонентами

Уведомить о поступлении товара

Модуль A3144 — бесконтактный переключатель на основе эффекта Холла на интегральной схеме

Уведомить о поступлении товара

В положении "I" и "О" фиксируется, в положении "II" - нет, возвращается в положение "О" при отпускании.

Уведомить о поступлении товара

Конденсатор электролитический: 680 мкФ 400В, 105 градусов, 18 х 27 мм.

Уведомить о поступлении товара

Уведомить о поступлении товара

Разъем малогабаритный GX16-3 цилиндрический для соединения цепей с нагрузкой до 7 А и 250 В

Уведомить о поступлении товара

DIP8 (10W/85-265Vac; 130kHz; 66%; 500mA; 700V) TinySwitch

Уведомить о поступлении товара

Набор для сборки электронного устройства. Представляет собой упаковку с печатной платой и электронными компонентами

Уведомить о поступлении товара

Уведомить о поступлении товара

ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА - предлагается на многие радиокиты отдельно. Предполагает при этом наличие у потребителя своей элементной базы. В некоторых случаях позволяет применением разных электронных компонентов создавать электронные модули с разными параметрами.

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 1,5а, Uкэ max = 60в, P max = 1вт, h21 = 63…160, Fгр > 80мГц, T = -60+125 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 0,1а, Uкэ max = 300в, Pк т max = 1,2вт, h21 > 25, Uкэ нас < 1в, Fгр > 90мГц, T = -40+85 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Уведомить о поступлении товара

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Уведомить о поступлении товара

Уведомить о поступлении товара

Цифровой датчик температуры DS18B20 9-12 бит интерфейс 1-WIRE, точность 0,5°С, -55 +125°C

Уведомить о поступлении товара

DIP8 (6.5W/85-265Vac; 130kHz; 67%; 280mA; 700V) TinySwitch

Уведомить о поступлении товара