TO220 (N; 600V; 9.5A; 50W; 0.73 Ohm)

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	00516R
Производитель:	WOER

W-1-H - Безгалогенная подавляющая горение термоусадочная трубка со стенкой нормальной толщины

SO8 (P; 14V; 11A; 2.5W; 0.012 Ohm)

DIP8 (650V; 67kHz; 12-20W; 19 Ohm) = FSDM311

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

DIP7 (85-265V; 1.9W; 66kHz; 136mA)

SO8 (N+N; 30V;4.9A; 2W; 0.05 Ohm)

ZIP17H (6-18V; 4х11W/4 Ohm УНЧ)

ZIP17H (6-18V; 4х11W/4 Ohm УНЧ)

TO220 (N; 600V; 7,5A; 147W; 1.2 Ohm)

Конденсатор аксиальный полиэтилентерефталатный металлизированный постоянной емкости

Микросхема MCP602-I/SN, произв. Microchip операционный усилитель Rail to Rail

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Iк max = 4а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 45в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Iк max = 2а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C

Конденсатор аксиальный полиэтилентерефталатный металлизированный постоянной емкости

Флюс паяльный SF-OR/NC-7.6 является безканифольным и бессмоляным флюсом нового поколения, не содержащим канифоли, соединений хлора и прочих галогенидов.

Предназначен для работ по металлу, дереву, стеклу.

Конденсатор аксиальный полиэтилентерефталатный металлизированный постоянной емкости

Регулируемый понижающий импульсный модуль питания на базе LM2596 с выходным током до 3А

Предназначен для работ по металлу, дереву, стеклу.