Импульсный источник питания 10 Вт. Вход = 100-240 В, выход = 5 В, 2 А

Модель: KE32TS2, KE42TS2, KLV15SR1, KLV17HR1, KV24LS35, KV29LS35K, KV29FX64K, KV29LS60K, KV32FX68K, KV32LS35K, KV 32LS35B, KV32LS60K, KZ32TS1, KZ42TS

Индикатор семисегментный 1 разряд, общий катод, цвет свечения КРАСНЫЙ высота цифры 56,8 мм

Индикатор семисегментный 1 разряд, общий анод, цвет свечения КРАСНЫЙ высота цифры 56,8 мм

Столбы из кремниевых, сплавных диодов, выпрямительные. Uобр имп max = 10кв, I пр. max = 50mа, F max = 1кГц

Зарядное устройство для двух литий-ионных аккумуляторов типоразмера 18650

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Iк max = 20ma, Uкэ max = 15в, P max = 100мвт, h21 > 40, Kш = 2дб, Fгр > 1,8ГГц, T = -60+125 C

Модель: PS-42A410C1,PS-42A410C3,PS-50A410C1,PS-50A410C3,PS-50A412C4

Модель: KV2540A, KVC2171KR, KVХ2581K, KVХ2581KR, KVX2981K, KVX2981KR, KVM2540B, KVM2540E, KVM2540K, KVM2541A, KVM2541D, KVM2541E, KVM2541K, KVM2541L, KVM2541U, KVC2501, KVC2503B, KVC2508D, KVC2508F, KVC2509B, KV25C5A, KV29C5A

Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные. Iс max = 4а, Uси max = 70в, P max = 20вт, Рвых >6,7вт, S = 60…170ma/в, Iс нач < 200ma, Kур >7дб, T = -60+125 C

Модель: CKT-2168, CKT-2135, CKT-4745, CKT-4822

Высоковольтная изоляционная лента для трансформаторов, рабочая температура до 130°C, напряжение пробоя 5,5кВ, ширина 15 мм

Транзисторы кремниевые планарные полевые со статической индукцией и каналом n-типа. P max = 40вт, Uси max = 300в, Iс max = 10а, Rси отк < 0,1Ом, tвкл < 0,1мкс, tвыкл < 2,5мкс, T = -45+85 C

Интерфейс RS-232, SSOP-28, TX: 4: RX: 5, Скорость: 120 кбит/с

ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА - предлагается на многие радиокиты отдельно. Предполагает при этом наличие у потребителя своей элементной базы. В некоторых случаях позволяет применением разных электронных компонентов создавать электронные модули с разными параметрами.

Набор для сборки электронного устройства. Представляет собой упаковку с печатной платой, электронными компонентами, схемой.

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 = 15…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C