Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 45в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 5в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 40в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Тиристорные оптроны состоят из арсенид-галлиевого ИК излучателя и фотоприемника - кремниевого фотодинистора, изолированных один от другого оптически прозрачной массой. Uвх < 2в, Iвх = 30ma, Uвх обр = 2в, Uпр вых = 200в, Uвых обр = 200в, Iвых = 30ma, Uизол = 1500в

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 55в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 0,9в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 50…150, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 20…80, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 70в, Uэб 0 max = 15в, Pк т max = 30вт, h21 = 10...40, Uкэ нас < 2,5в, Fгр > 1мГц, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Iк max = 2а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 8вт, h21 > 750, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 200мГц, T = -45+85 C

Частотный диапазон: 100 кГц, Входное напряжение: 650В, Корпус: DIP-8, Рабочая температура: -25°C - 130°C

TO3P 40A 800V Igt=50/100mA)

TO220 (N; 60V; 15A; 40W; 0.1 Ohm)

Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора. Uвх < 1,6в, Iвх = 15ma, Uвх обр = 1,5в, Uвых ком = 30в, Iвых = 70ma, Uизол = 500в

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 40в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Застосовуються для роботи в мережах постійного,змінного, пульсуючого струмів і в імпульсному режимах. Конденсатори К73-17 замінюють конденсатори типів К73-5, К73-11, К73-15, К73-16, К73-2. ТУ 11-94 ОЖО.461.104, ОЖО.461. 104 ТУ.

Конденсатор аксиальный полиэтилентерефталатный металлизированный постоянной емкости

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 2,5а, Uкэ проб = 80в, Pк т max = 50вт, h21 > 500, Fгр > 7мГц

Безотмывочный высокоактивный паяльный флюс SFL-RO/NC-800 с низким содержанием твердых веществ (менее 5%) разработан для обеспечения превосходного результата пайки и обеспечения низкого уровня дефектов.

TO3P (40A; 600V; Igt=50/100mA)

SF-RO/NC-6.4 - Канифольный безотмывочный флюс, предназначенный для достижения отличной паяемости и надежности плат с высокой плотностью монтажа при использовании как бессвинцовых припоев, так и классического оловянно-свинцового припоя.

Флюс AMTECH RMA-223, вес 10 грамм. Флюсы типа RMA (Rosin Mildly Activated), на канифольной основе, применяются для монтажа микросхем в корпусах BGA, PGA, PLCC, QFP, CSP, характеризуются очень хорошим смачиванием рабочей поверхности.

Сетевая розетка со штыревыми контактами и держателем предохранителя 5x20 (предохранитель в комплект не входит)

Оптопары транзисторные, двухканальные. Состоят из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов. Uвх < 1,6в, Iвх = 20ma, Uвх обр = 1,5в, Uвых ком = 15в, Iвых = 5ma, Uизол = 1500в