Воздушно-цинковые элементы питания – обладают высокой энергоёмкостью при компактных размерах, а также поддержания постоянного напряжением в течение всего срока службы. Применяются в слуховых аппаратах.

Повышающий DC-DC преобразователь Uвх. 10~32 В. Uвых. 12~35 В регулируемое. Максимальная выходная мощность 150 Вт

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Iк max = 30ma, Uкэ max = 15в, P max = 225мвт, h21 = 80…300, Fгр = 1,5ГГц, T = -60+125 C

Терморегулятор цифровой XH-W3002. Температурный диапазон: -50 ~ 110 C. Питание:12 V. Нагрузка: до 120W

Транзистор германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный. Предназначен для применения в системах зажигания двигателей внутреннего сгорания, а также в преобразователях напряжения. Iк max = 12а, Uкэ max = 100в, Pк max = 50вт, h21 > 10, Fгр > 10кГц, T = -50+70 C

Тиристоры кремниевые диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые, импульсные, высокочастотные. Iос.ср. = 3,2а, Uзс п. = 750в, Uп. обр = 50в, Iу. от = 100ma, Uу. от = 3в, tвыкл = 6мкс

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Iк max = 3,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 27в, P max = 12,5вт, h21 = 10…80, Fгр > 90мГц, Kур = 8дб, T = -60+125 C

Тумблер однополюсный предназначен для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока в радиоэлектронной аппаратуре 220В 5А

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C

Регулируемый понижающий импульсный модуль питания на базе LM2596 с выходным током до 3А и интегрированным вольтметром

Модуль нагрева стола 3D принтера построен на силовом транзисторе HA210N06 и предназначен для коммутации цепи с большим током потребления

Реле РПС-32А РС4.520.224 герметичное, поляризованное, двухпозиционное, двустабильное, с двумя переключающими контактами, предназначено для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока частотой до 10 кГц

Миниатюрный усилитель низкой частоты на микросхеме TDA8932 с выходной мощностью 35W

Преобразователь USB в UART (RS-232/485/422)

Цифровой термометр-гигрометр HTC-1 - комбинированный прибор для измерения температуры и влажности в помещении

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц. Iк max = 20ma, Uкэ max = 15в, P max = 100мвт, h21 = 35…300, Kш = 3дб, Fгр > 4ГГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума. Iк max = 8,5ma, Uкэ max = 10в, P max = 70мвт, h21 = 15…110, Kш = 5дб, Fгр > 5,8ГГц, T = -60+125 C

Диоды арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные, смесительные. Предназначены для применения в преобразователях частоты сантиметрового диапазона длин волн. F раб = 15ГГц, L прб < 6,5дб, I вп = 0,9…22ma, f норм < 8дб, К стU <2, P рас = 50mвт, T = -60+125 C