Диоды лавинные, мезадиффузионные, кремниевые. Uобр имп max = 500в, I пр. max = 5а, I пр. имп max = 100a, F max = 1кГц

Оптопары резисторные. Uвх < 5,5в, Rвых т = 15мОм, Rвых св = 400Ом, Iвх = 20ma, Iвых = 2ma, Uвых = 250в, Uизол = 100в

Оптопары резисторные. Uвх < 5,5в, Rвых т = 150мОм, Rвых св = 3кОм, Iвх = 20ma, Iвых = 2ma, Uвых = 250в, Uизол = 100в

Диоды лавинные, мезадиффузионные, кремниевые. Uобр имп max = 400в, I пр. max = 10а, I пр. имп max = 100a, F max = 1кГц

Инфракрасный датчик движения используется для обнаружения в контролируемой зоне движения объектов, которые излучают инфракрасное излучение (люди, животные)

Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов. Uвх < 1,6в, Iвх = 40ma, Uвх обр = 0,5в, Uвых ком = 50в, Iвых = 8ma, Uизол > 1500в

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 350в, Pк т max = 60вт, h21 > 10, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C

Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов. Uвх < 1,6в, Iвх = 40ma, Uвх обр = 0,5в, Uвых ком = 30в, Iвых = 32ma, Uизол > 1500в

Панельки DIP, с нулевым усилием (-18 PIN) (1уп.=10шт.), произв. TEXTOOL

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Iос = 10а, Uзс = 400в, Uп. обр = 400в, Iуд = 200ma, Iу. от = 100ma, Uу. от = 5в

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 10a, Uкэ max = 30в, Uкэ нас < 0,5в, Pк. т. max = 50вт, h21 > 70, Fгр > 4мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Iк max = 20ma, Uкэ max = 10в, P max = 100мвт, h21 = 20…240, Kш = 4дб, Fгр > 3ГГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц. Iк max = 10ma, Uкэ max = 15в, P max = 50мвт, h21 > 10, Kш = 3,5дб, Fгр > 2,4ГГц, T = -60+125 C

Трехразрядный вольтметр постоянного тока с красным светодиодным индикатором 4,5-30 В, высота цифры - 9 мм, два провода

К74-7 конденсатор фольговый полиэтилентерефталатный предназначен для работы в цепях постоянного, переменного и пульсирующего токов.

Регулируемый повышающий импульсный модуль питания на базе микросхемы XL6009 с выходным током до 3А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 60вт, h21 > 12, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 10а, Uкэ max = 500в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 10мГц, T = -40+100 C

Оптопары резисторные коммутационные. Uвх = 3,8…5,5в, Iвых ком = 7ma, Rвых т = 3мОм, Rвых св = 500Ом, Iвх = 18ma, Iвых = 9ma, Uвых = 250в, Uизол = 500в

Оптопары резисторные коммутационные. Uвх = 3,8…5,5в, Iвых ком = 3,5ma, Rвых т = 30мОм, Rвых св = 4кОм, Iвх = 18ma, Iвых = 5ma, Uвых = 250в, Uизол = 500в

Конденсатор аксиальный полиэтилентерефталатный металлизированный постоянной емкости

Трехразрядный двухпроводный вольтметр постоянного тока с красным светодиодным индикатором 14мм