Терморегулятор - термостат KT-1210W (MH-1210W). Температурный диапазон: от -50 до 110 °C. Напряжение питания: 220 V. Нагрузка: до 10 A.

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 20а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+125 C

Планка подсветки LG дюймов комплект A+B, выполнена из стеклотекстолита. 5 светодиодов на планке типа A и 4 светодиода на планке типа B. Длина 98 см.

Цифровой вольтметр-амперметр на 100 вольт 100 ампер с шунтом в комплекте.

4.7-5.3V; 1.2mA; 62x26мм; 4 строки по 20 символов 2.95x4.75мм; желто-зеленый

Цифровой датчик температуры и влажности, Диапазон измерения влажности 0...99,9%, Диапазон измерения температуры: -40...80 С

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Iк max = 2,5а, Uкэ max = 500в, Pк max = 15вт, h21 = 10…100, Uкэ нас = 5в, Fгр = 3мГц, T = -40+85 C

Планка подсветки EDGE V500, 68 светодиодов,623мм

Повышающий DC-DC преобразователь с максимальной мощностью до 600 Вт. Uвх. 10-60V Uвых. 12-80V до 10 А

Новое поколение датчиков давления, позволяющих измерять не только значение атмосферного давления, но и температуру и влажность. Датчик характеризуется высокой точностью измерения, высоким быстродействием интерфейса и сверхмалым потреблением.

Новое поколение датчиков давления, позволяющих измерять не только значение атмосферного давления, но и температуру и влажность. Датчик характеризуется высокой точностью измерения, высоким быстродействием интерфейса и сверхмалым потреблением.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные, усилительные. Iк max = 0,3a, Uкэ max = 26в, P max = 1,5вт, h21 = 50…250, Fгр > 1ГГц, T = -60+125 C

Uвх - 8-60V, Uвых - 12-80V, Fпр - 150 кГц

Транзисторы СВЧ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,8a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, P max = 8вт, Fгр > 300мГц, Kур = 10дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,5a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 5,5вт, Fгр > 500мГц, Kур > 6,3дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,25a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 5вт, Fгр > 400мГц, Kур = 7дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 1a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 10вт, Fгр > 400мГц, Kур = 4,5дб, T = -45+85 C

Транзисторы СВЧ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 1,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, P max = 20вт, Fгр > 300мГц, Kур = 5,5дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 3a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 25вт, Fгр > 400мГц, Kур = 3дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 10a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 85вт, Fгр = 300мГц, Kур > 4дб, T = -40+85 C