Импульсный источник питания открытого типа Pвых = 10Вт. Вход = 100-260В, Выход = 5В, 2А

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 6а, Uкэ max = 400в, Pк т max = 60вт, h21 = 10…60, Uкэ нас < 0,6в, Fгр > 8мГц, T = -45+100 C

TO220 (42W/85-265Vac; 100kHz; 67%; 2.63A; 3.1 Ohm; 700V) TOPSwitch

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 5а, Uкэ max = 150в, Pк т max = 40вт, h21 > 20, Uкэ нас < 1в, Fгр > 15мГц, T = -40+100 C

Реле неполяризованное, пылебрызгозащищенное, двухпозиционное, высокочастотное, предназначенное для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока частотой до 100мГц. Одна замыкающая группа контактов, Uраб = 27в, Rобм = 2464…3480 Ом,Iср = 16ma, Iотп = 2,8ma

Микросхема представляет собой емкостное реле и предназначена для управления тиристором или симистором в электрической схеме электросушителя. Корпус КМ1025КП2 типа 201.16-5, корпус КС1025КП2 типа 2103.16-3.

РЭС-22 РФ4.523.023-04.02 зачехленное, двухпозиционное, одностабильное, с четырьмя переключающими контактами реле постоянного тока, предназначено для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока частотой 50…1000 Гц.

Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Iк max = 3a, Uкэ max = 800в, Uкэ нас < 1,5в, Pк. т. max = 40вт, h21 > 10, Fгр > 10мГц, T = -55+100 C

Реле пылебрызгозащищенные, двухпозиционные, одностабильные, предназначены для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока частотой до 100 кГц. Две группы замыкающих контактов, Uраб = 12в, Rобм = 196...264 Ом, Uср = 5,5в, Uотп = 1в

Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, выпрямительные. Uобр max = 200в, I пр. max = 10а, F max = 200кГц, T вос обр = 0,035мкс

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 70вт, h21 = 20…125, Uкэ нас < 1,5в, Fгр > 8мГц, T = -60+125 C

Диоды кремниевые, эпитаксиально-диффузионные, выпрямительные. Uобр max = 200в, I пр. max = 20а, I пр. имп max = 100a, F max = 100кГц, T вос обр = 200нс

Тиристоры кремниевые диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые, импульсные, высокочастотные. Iос.ср. = 3,2а, Uзс п. = 500в, Uп. обр = 50в, Iу. от = 100ma, Uу. от = 3в

Герметичное, двухпозиционное, одностабильное, с двумя переключающими контактами реле постоянного тока предназначено для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока частотой 50 ... 10000 Гц Uраб = 23…34в, Rобм = 1475…1925 Ом, Iср = 8,4ma, Iотп = 1,8ma, Iком = 0,01…1а, Uком = 6…120в

Диоды кремниевые, эпитаксиально-диффузионные, выпрямительные. Uобр max = 100в, I пр. max = 30а, I пр. имп max = 100a, F max = 100кГц, T вос обр = 200нс

TO220(50W/85-265Vac; 100kHz; 67%; 3.15A; 2.6 Ohm; 700V) TOPSwitch

Импульсный источник питания 10 Вт. Вход = 100-240 В, выход = 5 В, 2 А

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Iк max = 20ma, Uкэ max = 15в, P max = 100мвт, h21 > 40, Kш = 2дб, Fгр > 1,8ГГц, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 = 15…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 600в, Pк max = 0,8вт, h21 > 30, Uкэ нас = 0,6в, Fгр = 10мГц, T = -45+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 60…140ma/в, Iс нач < 600ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 50…130ma/в, Iс нач < 480ma, Rси отк < 21Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые меза-планарные структуры n-p-n импульсные, переключательные. Iк max = 5а, Uкэ max = 1500в, Pк т max = 12,5вт, Uкэ нас < 1в, Fгр > 2мГц, T = -25+100 C