Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 70в, Pк max = 10вт, h21 = 20…150, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 30вт, h21 > 20, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 24вт, h21 = 15…40, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 2,5а, Uкэ проб = 100в, Pк т max = 50вт, h21 > 500, Fгр > 7мГц

Оптопары транзисторные, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора. Uвх < 1,6в, Iвх = 15ma, Uвх обр = 1,5в, Uвых ком = 30в, Iвых = 70ma, Uизол = 500в

Конденсатор электролитический: 3300 мкФ 50В, 105 градусов, 18 х 35 мм.

Герконы МКА-27101 гр.Б предназначены для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока частотой до 10 кГц с активной и индуктивной нагрузкой, напряжением до 250 В, силой тока до 0,5 А и коммутируемой мощностью до 20 Вт

Uобр max = 1000в, I пр. max = 3а, F max = 100кГц

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Iос = 10а, Uзс = 200в, Uп. обр = не регламентируется, Iуд = 200ma, Iу. от = 100ma, Uу. от = 5в

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Iос = 10а, Uзс = 200в, Uп. обр = 200в, Iуд = 200ma, Iу. от = 100ma, Uу. от = 5в

DIP8 (600V; 50%; 15.6Vst; Tr/Tp 80/40ns) самотактируемый полумостовой

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Iос = 10а, Uзс = 300в, Uп. обр = 300в, Iуд = 200ma, Iу. от = 100ma, Uу. от = 5в

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные. Iк max = 8а, Uкэ max = 80в, Pк т max = 60вт, h21 > 750, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -40+85 C

Диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные. Uобр имп max = 100в, I пр. max = 5а при T=+75С, I пр. max = 2а при T=+120С, F max = 1,1кГц

Высококачественная печатная плата для самостоятельной сборки популярного металлоискателя CLONE PI AVR

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Диоды кремниевые, выпрямительные, средней мощности, диффузионные. Uобр max = 200в, Uпр = 1в, I пр. max = 10а, I пр. имп max = 100a, F max = 100кГц

Диоды кремниевые, диффузионные, p-n проводимости, высокочастотные, выпрямительные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц. Uобр max = 600в, Uпр = 1,5в, I пр. max = 3а, I пр. имп max = 60a, F max = 50кГц, T = -60+125 C

Модуль USB с двумя нагрузочными резисторами, с переключателем - 1/2 А

Тиристоры кремниевые планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Iос = 10а, Uзс = 400в, Uп. обр = не регламентируется, Iуд = 200ma, Iу. от = 100ma, Uу. от = 5в

TO220-5pin (Ust = 1.25 - 57V; I=3A)