Цифровой вольтметр-амперметр на 100 вольт 100 ампер с шунтом в комплекте.

Планка подсветки EDGE V500, 68 светодиодов,623мм

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные, усилительные. Iк max = 0,3a, Uкэ max = 26в, P max = 1,5вт, h21 = 50…250, Fгр > 1ГГц, T = -60+125 C

Транзисторы СВЧ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,8a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, P max = 8вт, Fгр > 300мГц, Kур = 10дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,5a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 5,5вт, Fгр > 500мГц, Kур > 6,3дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,25a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 5вт, Fгр > 400мГц, Kур = 7дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 1a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 10вт, Fгр > 400мГц, Kур = 4,5дб, T = -45+85 C

Транзисторы СВЧ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 1,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, P max = 20вт, Fгр > 300мГц, Kур = 5,5дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 3a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 25вт, Fгр > 400мГц, Kур = 3дб, T = -45+85 C

Преобразователь USB в RS-485, гальванически изолирован (3000 в). Высокое качество. Низкая цена.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 10a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 85вт, Fгр = 300мГц, Kур > 4дб, T = -40+85 C

Аналого-цифровой преобразователь Texas Instruments дельта-сигма АЦП, разрядность 24 бит, 8 каналов, скорость 15 Гц, Интерфейс SPI

Uвх - 8-60V, Uвых - 12-80V, Fпр - 150 кГц

Резистивный датчик давления 0,01 - 10 кг

Тестер с автоматическим выбором параметров предназначен для проверки светодиодов, LED-ламп, LED-лент и т.п. Особенно полезен при ремонте подсветки мониторов и телевизоров, так как позволяет проверять планки LED подсветки без разборки панели.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 17a, Uкэ max = 50в, Uпит = 28в, P max = 200вт, Fгр > 220мГц, Kур > 3дб, T = -40+85 C

DIP8 (2-36V; 0.8mA; 1400ns; Gv=200V/mV; TTL; DTL; CMOS) сдвоенный

Уведомить о поступлении товара

Уведомить о поступлении товара

Уведомить о поступлении товара

Уведомить о поступлении товара

Уведомить о поступлении товара