Транзисторы кремниевые эпитаксиальные меза-планарные составные структуры n-p-n усилительные. Iк max = 20а, Uкэ max = 100в, Pк т max = 125вт, h21 = 750…18000, Uкэ нас < 2в, Fгр > 4мГц, T = -60+100 C

A:LG Innotek DRT 3.0_A TYPE REV01_140107, И:LG Innotek DRT 3.0_B TYPE REV01_140107

Соленоид-защелка (электромагнитный замок) LY-03, подпружиненный

NFC модуль на базе микросхемы NXP PN532, контроллера для бесконтактной связи на частоте 13,56 МГц

Планка подсветки EDGE V400, 52 светодиода 490мм

Терморегулятор - термостат KT-1210W (MH-1210W). Температурный диапазон: от -50 до 110 °C. Напряжение питания: 220 V. Нагрузка: до 10 A.

Планка подсветки LG дюймов комплект A+B, выполнена из стеклотекстолита. 5 светодиодов на планке типа A и 4 светодиода на планке типа B. Длина 98 см.

4.7-5.3V; 1.2mA; 62x26мм; 4 строки по 20 символов 2.95x4.75мм; желто-зеленый

Цифровой датчик температуры и влажности, Диапазон измерения влажности 0...99,9%, Диапазон измерения температуры: -40...80 С

Цифровой вольтметр-амперметр на 100 вольт 100 ампер с шунтом в комплекте.

Планка подсветки EDGE LG 42 дюйма 60 светодиодов

USB-адаптер со встроенным модулем Zigbee на чипе CC2531. Может быть подключен напрямую к ПК и использоваться для перехвата пакетов IEEE802.15.4 или в других целях

Планка подсветки EDGE V500, 68 светодиодов,623мм

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные, усилительные. Iк max = 0,3a, Uкэ max = 26в, P max = 1,5вт, h21 = 50…250, Fгр > 1ГГц, T = -60+125 C

Реле электромагнитное слаботочное. Предназначены для коммутации эл. цепей коаксиальных трактов с волновым сопротивлением 75 Ом в диапазоне частот от 1000 МГц. Имеют один переключающий контакт. Коммутируют эл. режим при напряжении 50 мкВ или мощности от 30 до 50 Вт. Питание от источника постоянного тока напряжением 27 В. Габариты 24,5х50х69 мм. Масса 140 г.

Uвх - 8-60V, Uвых - 12-80V, Fпр - 150 кГц

Транзисторы СВЧ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,8a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, P max = 8вт, Fгр > 300мГц, Kур = 10дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,5a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 5,5вт, Fгр > 500мГц, Kур > 6,3дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,25a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 5вт, Fгр > 400мГц, Kур = 7дб, T = -45+85 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 1a, Uкэ max = 36в, Uпит = 12,6в, P max = 10вт, Fгр > 400мГц, Kур = 4,5дб, T = -45+85 C