Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 60…140ma/в, Iс нач < 600ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 85…140ma/в, Iс нач < 700ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+125 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 50…130ma/в, Iс нач < 480ma, Rси отк < 21Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Iк max = 3,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 27в, P max = 12,5вт, h21 = 10…80, Fгр > 90мГц, Kур = 8дб, T = -60+125 C
Бинокуляры позволяют получить два варианта увеличения: 2,2х при использовании одной линзы, и 3,3х при использовании двух. Легко фиксируются на голове за счёт регулировки размера. Широко применяются при пайке, сборке миниатюрных деталей, чтении и др.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,4a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, Pк ср max max = 2,5вт, Fгр > 350мГц, Kур > 2,5дб, T = -40+85 C
IGBT транзистор G60T60AN3H600V 60A TO-247 скачать PDF
