Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Iк max = 0,4a, Uкэ max = 65в, Uпит = 28в, Pк ср max max = 2,5вт, Fгр > 350мГц, Kур > 2,5дб, T = -40+85 C

Вентилятор 30x30x10 мм. Макс. скорость 4200 об./мин +-10%, воздушный поток 3,08 CFM (Макс.), уровень шума 27дБ(А), срок работы на отказ 20000 часов.

DIP16(Ucc=36V; Ic=1A;P=5W) драйвер четырехканальный головки принтера

Импульсный источник питания 10 Вт. Вход = 100-240 В, выход = 5 В, 2 А

Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные. Iс max = 4а, Uси max = 70в, P max = 20вт, Рвых >6,7вт, S = 60…170ma/в, Iс нач < 200ma, Kур >7дб, T = -60+125 C

Вентилятор с 2 проводами, 92x92x25 мм, 12 вольт, 0.2 ампера.

Транзисторы кремниевые планарные полевые со статической индукцией и каналом n-типа. P max = 40вт, Uси max = 300в, Iс max = 10а, Rси отк < 0,1Ом, tвкл < 0,1мкс, tвыкл < 2,5мкс, T = -45+85 C

Реле герметичное, двухпозиционное, одностабильное, питаемое постоянным током, с двумя переключающими контактами. Uраб = 16…20в, Rобм = 680…920 Ом, Iср = 12,4ma, Iотп = 2,6ma, Iком = 0,01…1а, Uком = 6…120в

ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА - предлагается на многие радиокиты отдельно. Предполагает при этом наличие у потребителя своей элементной базы. В некоторых случаях позволяет применением разных электронных компонентов создавать электронные модули с разными параметрами.

Набор для сборки электронного устройства. Представляет собой упаковку с печатной платой, электронными компонентами, схемой.

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 = 15…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 100вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C

MQ-5 Gas Sensor - это простой в использование датчик газа. Чувствителен к сжиженному газу (LPG), природному газу, угольному газу

Вентилятор с 2 проводами, 120x120x25 мм, 12 вольт, 0.2 ампера.

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 600в, Pк max = 0,8вт, h21 > 30, Uкэ нас = 0,6в, Fгр = 10мГц, T = -45+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 60…140ma/в, Iс нач < 600ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 85…140ma/в, Iс нач < 700ma, Rси отк < 10Ом, Kур >7,6дб, T = -60+125 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 50…130ma/в, Iс нач < 480ma, Rси отк < 21Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 100вт, h21 = 12…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

4.7-5.5V; 1.2mA; 80x36,4мм; 2 строки по 16 символов 3,00x5.23мм; серый фон черные символы