Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 40в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Застосовуються для роботи в мережах постійного,змінного, пульсуючого струмів і в імпульсному режимах. Конденсатори К73-17 замінюють конденсатори типів К73-5, К73-11, К73-15, К73-16, К73-2. ТУ 11-94 ОЖО.461.104, ОЖО.461. 104 ТУ.

Оптопары транзисторные, двухканальные. Состоят из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов. Uвх < 1,6в, Iвх = 20ma, Uвх обр = 1,5в, Uвых ком = 15в, Iвых = 10ma, Uизол = 1500в

ГОСТ 19783-74 Обеспечивает эффективный тепловой контакт между двумя соприкасающимися поверхностями. Теплопроводность >= 0.65 W/Mk при 100С. Рабочая температура -60/+180С. Гарантийный срок хранения 1,5 года.

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	30009
Производитель:	SEP ELECTRONIC CORP.

Мост однофазный: 50 А, 1000 В, выводы под клеммы 6,3 мм

TO3P (40A; 600V; Igt=50/100mA)

Транзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p составные, переключательные. Iк max = 2,5а, Uкэ проб = 60в, Pк т max = 50вт, h21 > 1000, Fгр > 7мГц

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Частотный диапазон: 93 - 107кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность: 52Вт, Корпус: DIP-8, Рабочая температура: -40°C - 150°C

Частотный диапазон: 20 - 67кГц, Входное напряжение: 650В, Мощность: 45Вт, Корпус: DIP-8, Рабочая температура: -25°C - 130°C

Застосовуються для роботи в мережах постійного,змінного, пульсуючого струмів і в імпульсному режимах. Конденсатори К73-17 замінюють конденсатори типів К73-5, К73-11, К73-15, К73-16, К73-2. ТУ 11-94 ОЖО.461.104, ОЖО.461. 104 ТУ.

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 30в, Pк max = 10вт, h21 > 20, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 55в, Pк max = 10вт, h21 = 20…60, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 5а, Uкэ max = 70в, Pк max = 10вт, h21 = 20…150, Fгр = 150кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 30вт, h21 > 20, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C

Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Iк max = 7,5а, Uкэ max = 60в, Pк max = 24вт, h21 = 15…40, Fгр = 100кГц, T = -60+70 C

ЕСТЬ В НАЛИЧИИ
Код товара:	00516С
Производитель:	WOER

W-1-H - Безгалогенная подавляющая горение термоусадочная трубка со стенкой нормальной толщины

Кремниевые СВЧ р-п-р транзисторные пары средней мощности с отношением статических коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером более 0,9 и модулем передачи тока на частоте 100МГц более 6

Высококачественная печатная плата для самостоятельной сборки популярного металлоискателя CLONE PI AVR

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 70в, Pк т max = 60вт, h21 > 15, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

Модуль USB с двумя нагрузочными резисторами, с переключателем - 1/2 А

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 10а, Uкэ max = 50в, Pк т max = 60вт, h21 > 20, Uкэ нас < 2в, Fгр > 3мГц, T = -40+100 C