Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 30а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 50вт, h21 = 10…60, Uкэ нас < 0,8в, T = -60+70 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Iк max = 0,5а, Uкэ max = 60в, Pк т max = 5вт, h21 = 30…120, Uкэ нас < 1,5в, Fгр =75мГц, T = -60+125 C

Цифровой вольтметр-амперметр на 100 вольт 10 ампер со встроенным шунтом проволочного типа. Напряжение - красный; ток - синий.

Вентилятор с 2 проводами, 120x120x25 мм, 12 вольт, 0.2 ампера.

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Iк max = 2а, Uкэ max = 600в, Pк max = 0,8вт, h21 > 30, Uкэ нас = 0,6в, Fгр = 10мГц, T = -45+100 C

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Iс max = 0,7а, Uси max = 20в, P max = 6вт, S = 50…130ma/в, Iс нач < 480ma, Rси отк < 21Ом, Kур >7,6дб, T = -60+100 C

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Iк max = 15а, Uкэ max = 90в, Pк т max = 100вт, h21 = 12…275, Uкэ нас < 2в, Fгр = 3мГц, T = -40+100 C

4.7-5.5V; 1.2mA; 80x36,4мм; 2 строки по 16 символов 3,00x5.23мм; серый фон черные символы

Модуль приемопередатчика Bluetooth 2.1 + EDR BK8000L

Воздушно-цинковые элементы питания – обладают высокой энергоёмкостью при компактных размерах, а также поддержания постоянного напряжением в течение всего срока службы. Применяются в слуховых аппаратах.

Повышающий DC-DC преобразователь Uвх. 10~32 В. Uвых. 12~35 В регулируемое. Максимальная выходная мощность 150 Вт

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Iк max = 30ma, Uкэ max = 15в, P max = 225мвт, h21 = 80…300, Fгр = 1,5ГГц, T = -60+125 C

Терморегулятор цифровой XH-W3002. Температурный диапазон: -50 ~ 110 C. Питание:12 V. Нагрузка: до 120W

Тиристоры кремниевые диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые, импульсные, высокочастотные. Iос.ср. = 3,2а, Uзс п. = 750в, Uп. обр = 50в, Iу. от = 100ma, Uу. от = 3в, tвыкл = 6мкс

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Iк max = 3,5a, Uкэ max = 65в, Uпит = 27в, P max = 12,5вт, h21 = 10…80, Fгр > 90мГц, Kур = 8дб, T = -60+125 C

Тумблер однополюсный предназначен для коммутации электрических цепей постоянного и переменного тока в радиоэлектронной аппаратуре 220В 5А

Регулируемый понижающий импульсный модуль питания на базе LM2596 с выходным током до 3А и интегрированным вольтметром

Модуль нагрева стола 3D принтера построен на силовом транзисторе HA210N06 и предназначен для коммутации цепи с большим током потребления